高频光电导少子寿命测试仪

厂商：北京中慧天诚科技有限公司

产品简介： 产品/高频光电导寿命测试仪（生产用） 型号：KDKLT-1B货号：ZH8203产品简介:τ:10～6000μs，ρ＞3Ω·cm ，配数字示波器用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质的重要检测项目。设备组成1.光脉冲发生装置:重复频率>25次/s脉    宽>60μｓ光脉冲关断时间＜1μｓ红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）脉冲电流：5A～20A如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.高频源:频    率：30MHz低输出阻抗输出功率>1W放大器和检波器:频率响应：2Hz～2MHz3.配用示波器：配用示波器：频带宽度不低于10MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。测量范围：可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥0.1Ω·...

厂商：北京中慧天诚科技公司

产品简介：产品/高频光电寿命测试仪 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω•cm 型号：GDW3-LT1C货号：ZH410太阳能级 硅片寿命 配已知寿命样片、配示波器 1、用途 用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。 2、  设备组成 2.1、光脉冲发生装置 重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜1μｓ 红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：～20A 如测量锗单晶寿命需配置...

厂商：北京中慧天诚科技公司

产品简介：产品/高频光电寿命测试仪 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω•cm 型号：ZH410   太阳能级 硅片寿命 配已知寿命样片、配示波器产品简介 1、用途 用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。 2、  设备组成 2.1、光脉冲发生装置 重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜1μｓ 红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：～20A 如测量锗单...

厂商：北京中慧天诚科技有限公司

产品简介： 产品/高频光电寿命测试仪 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω•cm 型号：ZH410 货号：ZH410 太阳能级 硅片寿命 配已知寿命样片、配示波器 产品简介 1、用途 用于硅、锗单树脂动态粘度计晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。 2、  设备组成 2.1、光脉冲发生装置 重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          ...

厂商：北京中慧天诚科技有限公司

产品简介： 产品/高频光电寿命测试仪 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω•cm 型号：GDW3-LT1C   货号：ZH410 太阳能级 硅片寿命 配已知寿命样片、配示波器 产品简介 1、用途 用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。 2、  设备组成 2.1、光脉冲发生装置 重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ...

厂商：北京中慧天诚科技有限公司

产品简介： 产品/高频光电寿命测试仪 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω•cm 型号：GDW3-LT1C 货号：ZH410 太阳能级 硅片寿命 配已知寿命样片、配示波器 产品简介 1、用途 用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。 2、  设备组成 2.1、光脉冲发生装置 重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ ...

厂商：北京中慧天诚科技有限公司

产品简介： 产品/高频光电寿命测试仪 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω•cm 型号：GDW3-LT1C 货号：ZH410 太阳能级 硅片寿命 配已知寿命样片、配示波器 产品简介 1、用途 用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。 2、  设备组成 2.1、光脉冲发生装置 重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ ...

厂商：北京同德创业科技有限公司

产品简介：产品/少子寿命测试仪 型号：DZ-LT-11、 用途

厂商：北京恒奥德仪器仪表有限公司

产品简介：产品/少子寿命测试仪 型号：KDK-LT-11、 用途用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。2、 设备组成2.1、光脉冲发生装置重复频率＞25次/s 脉宽＞60μｓ 光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶） 脉冲电流：～20A如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.2、高频源频率：30MHz 低输出阻抗 输出功率＞1W2.3、放大器和检波器频率响应：2Hz～2MHz2.4、配用示波器配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。3、测量范围KDK-LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米...

厂商：北京同德创业科技有限公司

产品简介：产品/少子寿命测试仪 型号：DZ-LT-11、 用途用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。2、 设备组成2.1、光脉冲发生装置重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：～20A如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.2、高频源频率：30MHz       低输出阻抗      输出功率＞1W2.3、放大器和检波器频率响应：2Hz～2MHz2.4、配用示波器配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。3、测量范围DZ-LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米）,...