高频光电导少子寿命测试仪

厂商：北京恒奥德科技有限公司

产品简介：产品 少子寿命测试仪 型号：KDK-LT-11、 用途用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。2、 设备组成2.1、光脉冲发生装置重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：～20A如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.2、高频源频率：30MHz       低输出阻抗      输出功率＞1W2.3、放大器和检波器频率响应：2Hz～2MHz2.4、配用示波器配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。3、测量范围KDK-LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米...

厂商：北京同德创业科技有限公司

产品简介：产品/少子寿命测试仪 型号：DZ-LT-11、 用途用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。2、 设备组成2.1、光脉冲发生装置重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：～20A如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.2、高频源频率：30MHz       低输出阻抗      输出功率＞1W2.3、放大器和检波器频率响应：2Hz～2MHz2.4、配用示波器配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。3、测量范围DZ-LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米）,...

厂商：北京中慧天诚科技公司

产品简介：产品(基本型)τ:10～6000μs ρ＞3Ω•cm 型号：GDW3-LT-1A货号：ZH4111、  用途 用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。 2、  设备组成 2.1、光脉冲发生装置 重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ 红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：～20A 如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源 2.2、高频源 频率：...

厂商：北京中慧天诚科技公司

产品简介：产品(基本型)τ:10～6000μs ρ＞3Ω•cm 型号：ZH411 1、  用途 用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。 2、  设备组成 2.1、光脉冲发生装置 重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ 红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：～20A 如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源 2.2、高频源 频率：30MHz       ...

厂商：长春乐镤科技有限公司

产品简介：产品/少子寿命测试仪 型号：LT-11、 用途用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。2、 设备组成2.1、光脉冲发生装置重复频率＞25次/s 脉宽＞60μｓ 光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶） 脉冲电流：～20A如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.2、高频源频率：30MHz 低输出阻抗 输出功率＞1W2.3、放大器和检波器频率响应：2Hz～2MHz2.4、配用示波器配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。3、测量范围KDK-LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米）,寿命...

厂商：北京京晶科技有限公司

产品简介：产品/少子寿命测试仪 型号：DZ-LT-11、 用途用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。2、 设备组成2.1、光脉冲发生装置重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：～20A如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.2、高频源频率：30MHz       低输出阻抗      输出功率＞1W2.3、放大器和检波器频率响应：2Hz～2MHz2.4、配用示波器配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。3、测量范围DZ-LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米）,...

厂商：北京润恒奥仪器仪表设备有限公司

产品简介：产品/少子寿命测试仪 型号：RHA-KDK-LT-11、 用途用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。2、 设备组成2.1、光脉冲发生装置重复频率＞25次/s 脉宽＞60μｓ 光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶） 脉冲电流：～20A如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.2、高频源频率：30MHz 低输出阻抗 输出功率＞1W2.3、放大器和检波器频率响应：2Hz～2MHz2.4、配用示波器配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。3、测量范围RHA-KDK-LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米）,寿命值的测量范围：5～6000μｓ...

厂商：北京恒奥德科技有限公司

产品简介： 产品/少子寿命测试仪 厂家直销 型号：KDK-LT-11、 用途用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。2、 设备组成2.1、光脉冲发生装置重复频率＞25次/s 脉宽＞60μｓ 光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶） 脉冲电流：～20A如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.2、高频源频率：30MHz 低输出阻抗 输出功率＞1W2.3、放大器和检波器频率响应：2Hz～2MHz2.4、配用示波器配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。3、测量范围KDK-LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝...

厂商：北京奥德盛世科技有限公司

产品简介：1、 用途用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。2、 设备组成2.1、光脉冲发生装置重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：～20A如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.2、高频源频率：30MHz       低输出阻抗      输出功率＞1W2.3、放大器和检波器频率响应：2Hz～2MHz2.4、配用示波器配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。3、测量范围KDK-LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米）,寿命值的测量范围：5～6000μｓ

厂商：北京百万电子科技公司

产品简介：产品简介： 1、仪器采用GB/T1553-1997中硅单晶少数载流子寿命测定高频光电导衰减法； 2、测试硅单晶电阻率范围：ρ﹥2Ω·㎝，测电子级参杂硅单晶片（厚度小于1mm）电阻率范围：ρ﹥0.1Ω.cm（表面可能需抛光处理）； 3、可测材料：硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、硅块、硅片等； 4、可测单晶少子寿命τ范围：5μs~10000μs； 5、红外光源配置：波长1.06～1.09μm，红外光在硅单晶内穿透深度大于500μm。光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ脉冲电流：～20A ； 6、高频振荡源：用石英谐振器，振荡频率：30MHZ； 7、前置放大器，放大倍数约25，频宽2HZ-2MHZ； 8、高频电极采用铟与样品接触，铟可以减小半导体材料与金属电极间的接触电阻的优良材料而且有良好的抗腐蚀性能； 9、仪器测量重复误差：﹤±25%； 10、产品显示方式：本仪...