用ICP-磁质谱仪分析半导体等级的无机酸

随着现代大规模集成电路的线宽的持续缩小，对在加工过程中所使用的试剂（高纯水，无机酸，有机溶剂等）的纯度的要求也随之越来越高SEMI(半导体设备和材料国际机构，www.semi.org)负责制定这些试剂中的微量金属的Z高容许量对线宽在0.2微米以下的集成电路的生产厂家的指导浓度（作为试剂纯度的进一步需要）低到了10 pg g-1无机酸使用于集成电路生产的各个阶段，比如：硫酸和盐酸用于除去硅晶元上有机的和金属的污染清洗过程中Zda的微量金属的污染往往就来自于清洗试剂本身对微量金属的含量如此敏感是因为污染的程度直接影响产量因为有多元素同时分析的能力和高灵敏度，ICP质谱仪被普遍应用于集成电路工厂的过程试剂分析对简单基体的试剂，如高纯水和双氧水，无前处理的直接分析是可能的但对复杂基体的试剂，如硫酸（不纯物含量在ng g-1级），SEMI的指导方法是先蒸发再溶解于希硝酸中这种推荐去除基体的指导方法是基于以下的理由： • 基体的存在YZ仪器的灵敏度 • 基体对ICP质谱仪的样品导入系统的负担太大 • 基体起因的干涉对检出下限产生负面影响 但是，对于Z高等级的高纯试剂（SEMI的C等级，不纯物含量在pg g-1 级），至今还没有一个指导方法可以参照而且由于传统的蒸发等前处理方法在处理过程中的污染而不能应用，需要开发一种全新的ICP质谱仪方法 半导体级无机酸分析需要一种全新的ICP质谱仪方法