- 2025-05-22 10:33:36半导体失效分析
- 半导体失效分析是指对半导体器件或集成电路在特定条件下失去其原有功能或性能下降的现象进行深入研究和诊断的过程。它涉及物理、化学、材料科学及电子工程等多学科知识，通过分析失效器件的外观、内部结构、电性能等，确定失效模式、失效机理及失效原因。失效分析有助于提升半导体产品的可靠性和质量，为产品改进和故障预防提供依据。在半导体产业中，失效分析是确保产品稳定性和竞争力的重要环节。
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半导体失效分析问答
- 2022-03-15 12:34:22离子研磨仪在半导体失效分析中的应用案例分享
- 失效分析是对于电子元件失效原因进行诊断，在进行失效分析的过程中，往往需要借助仪器设备，以及化学类手段进行分析，以确认失效模式，判断失效原因，研究失效机理，提出改善预防措施。其方法可以分为有损分析，无损分析，物理分析，化学分析等。其中在进行微观形貌检测的时候，尤其是需要观察断面或者内部结构时，需要用到离子研磨仪+扫描电镜结合法，来进行失效分析研究。离子研磨仪目前是普遍使用的制样工具，可以进行不同角度的剖面切削以及表面的抛光和清洁处理，以制备出适合半导体故障分析的 SEM 用样品。离子研磨仪TECHNOORG LINDA扫描电镜Phenom SEM01 离子研磨仪的基本原理晶片失效分析思路和方法案例分享 1优先判断失效的位置锁定失效分析位置后，决定进行离子研磨仪进行切割离子研磨仪中进行切割切割后的样品，放大观察放大后发现故障位置左右不对称进一步放大后，发现故障位置挤压变形，开裂，是造成失效的主要原因变形开裂位置放大倍数：20,000x变形开裂位置放大倍数：40,000xIC封装测试失效分析案例分享 21、对失效位置进行切割2、离子研磨仪中进行切割3、位置1. 放大后发现此处未连接。放大倍数：30,000x4、位置2. 放大后发现此处开裂。放大倍数：50,000xPCB/PCBA失效分析案例分享 3离子研磨仪SC-2100适用于离子束剖面切削、表面抛光可预设不同切削角度制备横截面样品可用于样品抛光或最 终阶段的细抛和清洁超高能量离子枪用于快速抛光低能量离子枪适用后处理的表面无损细抛和清洁操作简单，嵌入式计算机系统，全自动设定操作冷却系统标准化，应用于多种类样本高分辨率彩色相机实现实时监控抛光过程
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- 2023-06-12 16:02:54邀请函 | 半导体产业失效分析解决方案线上论坛
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- 2023-06-09 14:38:16报名时间延长 | 第八届全国失效分析大奖赛
- 关于大赛报名截止时间延期的通知应广大参赛单位反馈，鉴于大赛报名期间正值高校老师研究生和本科生答辩工作期间，考虑到为老师们留出充足的时间来组织大赛报名和参赛课题的准备，“欧波同杯”第八届全国失效分析大奖赛暨第六届全国材料专业大学生研究能力挑战赛（以下简称“大赛”）赛委会决定将大赛报名截止时间延期到2023年6月30日，望周知！
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- 2022-08-18 12:02:07Attolight CL-SEM系统在光电失效分析方面的应用
- 氮化镓(GaN)是一种广泛应用于发光二极管(led)等光电器件的材料。LED结构主要是通过外延生长在蓝宝石衬底上，但由于成本原因，硅成为蓝宝石的代替者。然而，硅和氮化物之间巨大的不配合和热膨胀系数的差异导致大量的位错和可能的裂纹。它们通常出现在生长过程中的冷却阶段。由于裂纹和位错对LED应用都是有害的，所以确定局部缺陷浓度和其他特征如掺杂和应变是至关重要的。 阴极发光(CL)技术是研究GaN性质的一种快速和高度相关的方法。非辐射缺陷如位错的分布可以直观地显示出来。以下的能带隙发射线的能量允许我们识别点缺陷。阴极发光高光谱图提供了应变、掺杂、生长方向和载流子浓度的空间变化信息。在实际应用中，通过限制电子束与样品相互作用体积的大小，可以大大提高空间分辨率。像TEM样品这样的薄物体的使用恰好克服了这种物理限制。它显著地将相互作用体积的横向尺寸从550 nm(束能为10 keV的GaN)降低到30 nm以下。Attolight设计了一种与TEM样品兼容的特殊低温样品架，用于低温下在Attolight阴极发光显微镜上进行测量。 然而，样品中较小的探测体积可能会显著降低采集到的信号，从而限制测量分辨率。Attolight CL系统优化后的集光系统完美地克服了这一困难。它允许在短时间内对横断面TEM样品进行高分辨率的高光谱映射(具有非常高的信噪比)。这样的测量并不局限于氮化镓，并且可以扩展到许多其他发光材料。 该方案是Attolight阴极发光显微镜在LED光电失效分析应用层面的完美体现，它做到了以下4个方面使Attolight阴极发光显微镜成为光电失效分析及LED应用方面的优先选择。1、具有良好的位错网络可视化和与样品同一区域TEM图像的相关性2、堆叠不同组分(AlN, GaNs，量子阱等)的空间发光映射3、通过CL谱中的能量位移估计位错和界面周围的局部应变和掺杂4、点缺陷的识别与空间分布
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- 2023-06-21 15:23:26邀请函丨2023 SPARK SUMMIT 赛默飞半导体分析解决方案研讨会
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