- 2025-03-28 15:21:32电子半导体失效分析
- 电子半导体失效分析是指对集成电路、微电子器件等电子半导体产品在制造、使用或存储过程中出现的失效现象进行分析的过程。该分析旨在确定失效原因、失效模式及失效机制,涉及物理、化学、电气等多学科技术。通过分析,可提出改进措施,提高产品可靠性。常用方法包括显微镜观察、成分分析、电性能测试等,需专业实验室及技术人员操作。
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电子半导体失效分析问答
- 2023-06-12 16:02:54邀请函 | 半导体产业失效分析解决方案线上论坛
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- 2025-11-28 20:45:22电子背散射衍射系统EBSD怎么分析
- 电子背散射衍射系统(EBSD)作为现代材料表征的重要工具,广泛应用于金属、陶瓷、半导体等多种材料的微观结构分析中。它通过扫描电子显微镜(SEM)结合高精度的衍射检测,实现对晶体取向、晶粒大小、晶界性质等关键参数的快速、分析。本文旨在系统介绍EBSD的基本原理、数据采集过程以及分析技巧,帮助研究人员和工程师深入理解EBSD技术的实际应用,从而提升材料表征的效率和准确性。 理解EBSD的工作原理是进行有效分析的基础。EBSD利用电子束照射样品表面,引发晶体中的电子在特定晶面产生背散射衍射图样。每个点的衍射图样都反映了该位置晶体的晶向信息。电子束的扫描结合衍射图像的采集,能够获得样品内部不同区域的微观晶体取向、晶粒尺寸乃至应力状态。这一过程依赖于高精度的电子探测器和复杂的图像处理算法,确保获取的衍射数据具有足够的空间分辨率与角度精度。 分析EBSD数据的步是进行数据预处理。通常需要对原始衍射图像进行去噪、增强对比度和背景扣除,以提升晶向识别的可靠性。通过索引算法对每个点的衍射 pattern 进行匹配,确定其对应的晶体取向。现代EBSD仪器配备了多种索引策略,包括模板匹配和快速傅里叶变换技术,以应对不同材料和样品状况的复杂性。 在完成晶向索引后,研究者可以利用软件工具进行晶粒分析。晶粒大小的测量常用多边形或等角线方法,帮助判断材料的细晶或粗晶结构,间接反映材料的机械性能。晶界特征分析则揭示晶粒之间的关系和潜在的塑性变形行为。利用取向分布函数(ODF)可以统计样品整体的取向分布,为塑性各向异性、织构分析提供基础数据。 EBSD的强大优势还在于应力、残余应变的分析。通过检测晶面间的微小偏差,可以推断出局部应力状态,为材料失效分析和工艺优化提供参考。值得注意的是,在进行这类分析时,样品的准备质量尤为重要,表面平整度和清洁度直接影响数据的精度。 在深入分析环节,结合EBSD所得的微观结构信息,研究者可以建立相应的微观机制模型。比如,通过晶界特征与裂纹路径的关系,探讨材料的断裂机理;或者借助晶粒取向的统计分布,优化热处理工艺以改善性能。高阶分析工具如三维EBSD(3D-EBSD)和同步辐射技术,也正在逐步推动材料科学研究的边界。 在实际应用中,成功的EBSD分析不仅依赖于仪器的先进程度,还需要科学合理的工艺流程,包括样品准备、数据采集与后续处理每一环节的细致操作。掌握合理的扫描参数(如步距、加速电压)和数据处理策略,是提升分析品质的关键。结合其他表征技术(如EDS、XRD)可以获得更全面的材料信息。 总结来看,EBSD技术凭借其高空间分辨率和丰富的微观结构信息成为材料研究中不可或缺的工具。对其分析流程的深入理解和优化,能极大增强数据的可用性和科学性,为材料设计、性能优化提供坚实保障。在未来,随着硬件性能的提升和算法的创新,EBSD在材料科学中的应用潜力将持续扩大,为基础研究和工业实践带来更多突破。
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- 2023-06-09 14:38:16报名时间延长 | 第八届全国失效分析大奖赛
- 关于大赛报名截止时间延期的通知应广大参赛单位反馈,鉴于大赛报名期间正值高校老师研究生和本科生答辩工作期间,考虑到为老师们留出充足的时间来组织大赛报名和参赛课题的准备,“欧波同杯”第八届全国失效分析大奖赛暨第六届全国材料专业大学生研究能力挑战赛(以下简称“大赛”)赛委会决定将大赛报名截止时间延期到2023年6月30日,望周知!
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- 2022-03-15 12:34:22离子研磨仪在半导体失效分析中的应用案例分享
- 失效分析是对于电子元件失效原因进行诊断,在进行失效分析的过程中,往往需要借助仪器设备,以及化学类手段进行分析,以确认失效模式,判断失效原因,研究失效机理,提出改善预防措施。其方法可以分为有损分析,无损分析,物理分析,化学分析等。其中在进行微观形貌检测的时候,尤其是需要观察断面或者内部结构时,需要用到离子研磨仪+扫描电镜结合法,来进行失效分析研究。离子研磨仪目前是普遍使用的制样工具,可以进行不同角度的剖面切削以及表面的抛光和清洁处理,以制备出适合半导体故障分析的 SEM 用样品。离子研磨仪TECHNOORG LINDA扫描电镜Phenom SEM01 离子研磨仪的基本原理晶片失效分析思路和方法案例分享 1优先判断失效的位置锁定失效分析位置后,决定进行离子研磨仪进行切割离子研磨仪中进行切割切割后的样品,放大观察放大后发现故障位置左右不对称进一步放大后,发现故障位置挤压变形,开裂,是造成失效的主要原因变形开裂位置放大倍数:20,000x变形开裂位置放大倍数:40,000xIC封装测试失效分析案例分享 21、对失效位置进行切割2、离子研磨仪中进行切割3、位置1. 放大后发现此处未连接。放大倍数:30,000x4、位置2. 放大后发现此处开裂。放大倍数:50,000xPCB/PCBA失效分析案例分享 3离子研磨仪SC-2100适用于离子束剖面切削、表面抛光可预设不同切削角度制备横截面样品可用于样品抛光或最 终阶段的细抛和清洁超高能量离子枪用于快速抛光低能量离子枪适用后处理的表面无损细抛和清洁操作简单,嵌入式计算机系统,全自动设定操作冷却系统标准化,应用于多种类样本高分辨率彩色相机实现实时监控抛光过程
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- 2023-05-23 15:45:35数码显微镜在电子半导体行业的应用案例分享
- 面对电子半导体行业研发、品质的各种观察、分析、测量要求。比如打线结合,BGA高度,镀层的表面通常很难直观地观察及测量,但是基恩士VHX-7000N系列高清数码显微镜能够提供精 准的数据支持和高清结构观察。金线高度检测BGA高度检测同时也能直接观察和测量镀层表面面积占比,为改善镀层工艺提供更精 准的数据参考。连接器镀层检测
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