碳基钙钛矿太阳电池 - 产品信息 - 相关知识

2025-02-28 19:02:57碳基钙钛矿太阳电池: 碳基钙钛矿太阳电池是一种采用碳材料作为电极，钙钛矿结构材料作为吸光层的太阳能电池。它具有成本低、制备工艺简单、光电转换效率高等优点。碳电极的使用提高了电池的稳定性，钙钛矿材料则具有优异的吸光性能和电荷传输性能。该电池在光照下能将光能高效转换为电能，是实现太阳能利用的重要技术之一，在可再生能源领域具有广阔的发展前景。

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用户速递|Angew. Chem. : 18%记录效率！低维异质结助力碳基无机钙钛矿太阳电池

钙钛矿太阳能电池(PSCs)因其高效率和低成本的优势获得广泛关注与研究。然而，钙钛矿在成核和晶体生长的过程中不可避免地会形成缺陷，被认为是制约器件光伏性能和稳定性的重要原因。

北京卓立汉光仪器有限公司 304
2023-07-25
钙钛矿太阳能电池

碳基钙钛矿太阳电池文章

荧光光谱仪案例分享：综合钝化策略提高碳基无机钙钛矿太阳电池

近日，华南农业大学的饶华商&钟新华团队提出了一种“湿膜处理”和“干膜处理”相结合的综合策略，分别钝化CsPbI3 薄膜的表面和体相缺陷。

北京卓立汉光仪器有限公司 143
2025-02-26
碳基钙钛矿太阳电池低维钙钛矿湿膜、干膜处理
用户速递 | 华南农业大学饶华商&钟新华团队: 综合钝化策略提高碳基无机钙钛矿太阳电池

应用方向：碳基钙钛矿太阳电池、低维钙钛矿、湿膜处理、干膜处理

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2025-02-26

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碳基钙钛矿太阳电池问答

2023-07-21 10:25:31ALD在钙钛矿方面的应用: “碳达峰”和“碳中和”一直都是能源领域的热点话题，作为助力“双碳”战略的生力军，光伏产业具有举足轻重的地位。目前光伏的主力是硅太阳能电池，它们具有效率高、稳定性好、产业链完备、使用寿命长的优势。然而，晶硅电池的转换效率到达瓶颈，且从硅料到组件至少经过4 道工序，单位制程需要3 天以上，同时还需要大量人力、运输成本等。为了让太阳能的利用更加便捷、高效且廉价，科学界和工业界正在研制新型太阳能电池；钙钛矿太阳能电池就是备受关注的后起之秀，钙钛矿叠层效率极限可达50%，而钙钛矿组件在单一工厂完成生产，原材料经过加工后直接成组件，没有传统的“电池片”工序，大大缩短制程耗时。但是，如何制备大面积且能保持较高效率的钙钛矿太阳能电池，依然是难题，也成了制约其产业化应用的瓶颈。原速ALD在钙钛矿电子传输层、空穴传输层、钝化层、封装阻水层等领域已取得了突破性进展，获得了业界的认可。为了更高效地服务于世界光伏产业高地，原速也在上海建立了技术研发中心。截止目前，公司已形成服务于钙钛矿电池研发、中试、100MW、 GW级量产的产线ALD技术解决方案。1、ALD-SnO2 应用于钙钛矿电池电子传输层 • ALD 相比于传统沉积技术，在制备超薄膜时具有更优异的均匀性和保形性，以及缺陷更少的优点 2、ALD-NiO 应用于钙钛矿电池空穴传输层 • ALD 可用于制备性能优异的超薄（

2023-07-25 10:40:14半导体和钙钛矿材料的高光谱（显微）成像: 目前在光伏业界，正在进行一项重大努力，以提高光伏和发光应用中所用半导体的效率并降低相关成本。这就需要探索和开发新的制造和合成方法，以获得更均匀、缺陷更少的材料。无论是电致还是光致发光，都是实现这一目标的重要工具。通过发光可以深入了解薄膜内部发生的重组过程，而无需通过对完整器件的多层电荷提取来解决复杂问题。HERA高光谱照相机是绘制半导体光谱成像的理想设备，因为它能够快速、定量地绘制半导体发射光谱图，且具有高空间分辨率和高光谱分辨率的特性。硅太阳能电池的电致发光光谱成像光伏设备中的缺陷会导致光伏产生的载流子发生重组，阻碍其提取并降低电池效率。电致发光光谱成像可以揭示这些有害缺陷的位置和性质。"反向"驱动太阳能电池（即施加电流）会产生电致发光，因为载流子在电极上被注入并在有源层中重新结合。在理想的电池中，所有载流子都会发生带间重组，这在硅中会产生1100 nm附近的光（效率非常低）。然而，晶体结构中的缺陷会产生其他不利的重组途径。虽然这些过程通常被称为"非辐射"重组，但偶尔也会产生光子，其能量通常低于带间发射。捕获这些非常罕见的光子可以了解缺陷的能量和分布。在本实验中，我们使用了HERA SWIR (900-1700 nm)，它非常适合测量硅发光衰减。测量装置如图1所示：HERA安装在三脚架上，在太阳能电池上方，连接到一个10A的电源。640×512像素的传感器安装在样品上方75厘米处，空间分辨率约为250微米。图1. 实验装置最重要的是，HERA光学系统没有输入狭缝，因此光通量非常高，是测量极微弱光发射的理想选择。图2.A和2.B显示了两个波长的电致发光（EL）图像：1150 nm（带间发射）和1600 nm（缺陷发射），这是4次扫描的平均值（总采集时间：5分钟）。通过分析这些图像，我们可以看到，尽管缺陷区域的亮度远低于主发射区域，但它们仍被清晰地分辨出来。此外，具有强缺陷发射的区域的带间发射相对较弱。我们可以注意到有几个区域在两个波长下都是很暗的；这可能是由于样品在运输过程中损坏了电池造成的。图2.C中以对数标尺显示了小方块感兴趣区域（图2A和2B中所示）的光谱。图 2.A 和 B：两个选定波长（1150 nm 和 1600 nm）的电致发光（EL）图像。C：A和B中三个不同区域对应的电致发光光谱（图像中的彩色方框）。金属卤化物钙钛矿薄膜的光致发光显微研究通过旋涂等技术含量低、成本效益高的方法，可以制造出非常高效的太阳能电池和LED。这些方法面临的一个挑战是在微观长度的尺度上保持均匀的成分。光致发光显微镜是表征这种不均匀性的一个特别强大的工具。HERA高光谱相机可以连接到任何显微镜（正置或倒置）的c-mount相机端口，并直接开始采集高光谱数据，无需任何校准程序。图3. 与尼康LV100直立显微镜连接的HERA VIS-NIR。在本实验中，我们使用HERA VIS-NIR（400-1000 nm）耦合到尼康LV100直立显微镜（图3）来表征两种卤化物前驱体合金的带隙分布。将两种卤化物前驱体合金化的优点是能够调整材料的带隙；然而，这两种成分经常会发生逆混合，从而导致性能损失。本实验的目的是检测这种逆混合现象：事实上，混合比的局部变化会改变局部带隙，从而导致发射不同能量的光子。在这种配置中，激发光来自汞灯，通过带通滤光片在350 nm处进行滤光，并通过发射路径上的二向色镜将其从相机中滤除。HERA的高通量使其能够在大约1分钟的测量时间内收集完整的数据立方体（130万个光谱）。图4.样品的光谱综合强度图（A：全尺寸；B：放大）。图4.A和4.B分别显示了所有波长（400-1000 nm）总集成信号的全尺寸和放大图像，揭示了长度尺度在1 µm左右的明亮特征。当我们比较亮区和暗区的光谱时（图5.B中的黑色和红色曲线），我们发现暗区实际上也有发射，不仅强度较低，而且波长中心比亮区短。事实上，光谱具有双峰形状，很可能与逆混合前驱体的发射相对应。图5.A的发射图清楚地显示了带隙的这种变化。我们现在可以理解为什么低带隙区域看起来更亮了--载流子可能从高带隙区域弛豫到那里，并且在发生辐射重组之前无法返回。图5.A：显示平均发射波长的强度图。B：亮区和暗区的发射光谱（正常化）。东隆科技作为NIREOS国内总代理公司，在技术、服务、价格上都具有优势。如果您有任何产品相关的问题，欢迎随时来电垂询，我们将为您提供专业的技术支持与产品服务。

2023-08-10 14:19:11高内相乳液模板法制备聚合物基多孔碳及其电化学性能的研究: HS-STA-002同步热分析仪将热重分析 TG 与差示扫描量热 DSC 结合为一体，在同一次测量中利用同一样品可同步得到热重与差热信息。高内相乳液模板法制备聚合物基多孔碳及其电化学性能的研究【福州大学张静】高内相乳液模板法制备聚合物基多孔碳及其电化学性能的研究上海和晟 HS-STA-002 同步热分析仪

2023-05-30 09:50:54苏大廖良生教授Angewandte：高效镧系掺杂钙钛矿基近红外LED，通过量子剪裁实现！| 前沿用户报道: 成果简介钙钛矿纳米晶体(PeNCs)在可见光中具有高效和高色纯度的依尺寸和组成而可调的发光。然而，在近红外(NIR)区域获得高效的电致发光(EL)具有挑战性，限制了其潜在的应用。在这里，我们展示了一种高效的近红外发光二极管(LED)，通过将镱离子掺杂到PeNC基质(Yb3+: PeNCs)中，将EL波长延长到1000 nm，这是通过PeNC基质直接敏化Yb3+离子来实现的。高效的量子剪裁工艺使Yb3+: PeNCs的光致发光量子产率(PLQYs)高达126%。通过卤化物组成工程和表面钝化策略来改善PLQY和电荷传输平衡，我们展示了一种在990 nm中心波长处峰值EQE为7.7%的高效近红外LED，代表了发射波长超过850 nm的最高效钙钛矿基LED。创新点：在本研究中，我们将镱离子掺杂到钙钛矿纳米晶体中，使电致发光波长延长至1000 nm。卤化物化学计量控制和表面钝化的协同作用使我们能够实现高效的近红外LED，峰值EQE为7.7%，是迄今为止峰值波长超过850 nm的OLED和PeLED中效率最高的。图文导读图1 a) Yb3+:PeNCs的TEM图像和元素映射，TEM图像的插入部分显示了晶体衍射图样。b) XRD图谱，c) IR PLQY, d) PL光谱，e) Yb3+: CsPb(Cl1-xBrx)3 PeNCs的不同卤化物化学计量量的吸收。f) Yb3+: PeNCs的能量转移机制，三种重组途径分别记为(1)、(2)、(3)。g)在所选泵-探头延迟时的TA光谱。h)不同名义掺杂浓度的Yb3+:PeNCs在450nm处的归一化TA信号衰减随时间的变化。图2 a)基于Yb3+: CsPb(Cl1-xBrx)3 NC发射极的近红外PeLEDs器件结构示意图。b)能带图。c)近红外LED内部光能通道的功率分布。d)基于Yb3+: CsPbCl1-xBrx NC发射器的PeLEDs EQE与J特性，仅考虑近红外峰值计算EQE。e)不同激子波长下PeNC薄膜的PLQY和近红外PeLEDs的峰值EQE(平均值)。f) 3.2 V ~ 6 V不同偏差下对应的EL谱，步长为0.2V。插图显示了在3.2 V电压下工作的PeLED的EL谱。图3a)插图为BTC的分子结构。b) EQE－电流密度特性。c)原始(蓝色曲线)和钝化(红色曲线)LED器件的峰值EQE直方图。基于原始和钝化Yb3+:PeNCs的纯空穴器件d)和纯电子器件e)的J-V曲线。黑色虚线表示陷阱填充电压。f)我们的设备之间的峰值EQE比较，之前报道的近红外PeLDs和OLED (EL峰值波长超过850 nm)。图4 a) Yb3+: PeNCs的表面钝化机理。原始Yb3+和钝化Yb3+的XPS谱: Yb 4d; b)Pb 4f5/2和4f7/2 c)的XPS谱. d)硫氰酸苄酯、原始和钝化Yb3+: PeNCs的FTIR透射光谱。e)原始和钝化Yb3+:PeNCs在480 nm波长处获得的瞬态PL衰变。f) PeNCs在480 nm处剩余激子发射的PLQY(蓝色曲线)和Yb3+离子在990 nm处近红外发射的PLQY(粉红色曲线)。论文信息Efficient Near-Infrared Electroluminescence from Lanthanide-Doped Perovskite Quantum CuttersYan-Jun Yu, Chen Zou, Wan-Shan Shen, Xiaopeng Zheng, Qi-Sheng Tian, You-Jun Yu, Chun-Hao Chen, Baodan Zhao, Zhao-Kui Wang, Dawei Di, Osman M. Bakr, Liang-Sheng LiaoFirst published: 25 March 2023 https://doi.org/10.1002/anie.202302005

2025-01-06 18:15:12电涡流测厚仪可以测铝基么: 电涡流测厚仪可以测铝基么电涡流测厚仪作为一种常用于材料厚度检测的设备，因其非接触、快速、精确的特点，广泛应用于各种金属及涂层的厚度测量。在实际应用中，很多用户对于电涡流测厚仪是否能够用于测量铝基材料存在疑问。本文将深入探讨电涡流测厚仪能否有效测量铝基材料的厚度，并分析其工作原理与适用性，以帮助用户做出更合适的选择。电涡流测厚仪的工作原理电涡流测厚仪通过测量电涡流在被测材料中产生的变化来确定材料的厚度。设备通过发射一个电磁场到被测物体表面，材料的电导率会影响电涡流的分布，进而影响测量信号的强度和频率变化。这些变化会被仪器转换成厚度值。由于电涡流的探测主要依赖于材料的导电性和磁导率，因此，对于不同材质的材料，电涡流测厚仪的适用性有所差异。电涡流测厚仪测量铝基的挑战铝是一种导电性良好的轻金属，因此在理论上，电涡流测厚仪是可以对铝基材料进行测量的。铝基材料的厚度测量存在一定的挑战，主要表现在以下几个方面：铝的电导率较高：铝具有较高的电导率，这使得电涡流的衰减较快，测量信号可能较弱，影响测量的精度和稳定性。涂层影响：如果铝基表面涂覆有涂层，电涡流测厚仪可能只能测量涂层的厚度，而无法直接获得基材的厚度。对于纯铝或表面涂层较薄的铝基，测量可能会更加准确，但对于涂层较厚的铝基，可能需要使用专门的涂层测厚仪。频率选择问题：电涡流测厚仪的频率需要根据被测材料的性质进行调整。对于铝基材料，由于其导电性较强，需要选择合适的测量频率，否则可能会导致测量误差或无法正常读取结果。电涡流测厚仪是否适合测量铝基材料？电涡流测厚仪能够用于铝基材料的厚度测量，但需要考虑铝的特性及应用环境。对于一些特殊需求，如精度要求较高的铝材测量或铝基涂层测量，选择合适的仪器和参数调节至关重要。若铝基材料表面涂层较厚，用户可能需要选择专门的涂层测厚仪，或者使用能够区分涂层与基材厚度的电涡流仪器。电涡流测厚仪可以应用于铝基材料的厚度检测，但在实际应用中，选型和参数设置的合理性直接影响测量的准确性和可行性。

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