- 2025-02-08 11:16:07霍尔离子源
- 霍尔离子源是一种利用霍尔效应产生离子的装置。它具有高效、稳定、可控等特点，能够持续稳定地产生离子束。广泛应用于质谱仪、离子注入机等设备中，用于样品分析、材料改性等领域。在科研和工业中发挥着重要作用，提高了分析精度和工艺效率。
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霍尔离子源问答
- 2017-01-02 05:10:12霍尔离子源和考夫曼离子源的区别
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- 2021-03-18 15:46:05KRI射频离子源RFICP380溅射沉积NSN70隔热膜
- 某机构采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射在柔性基材表面沉积多层 NSN70 隔热膜, 制备出的 NSN70 隔热膜具有阳光控制功能, 很好的解决了普通窗帘或百叶窗隔热效果不明显的问题. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 在柔性基材 PET 上沉积 AgCu 合金制备的 NSN 系列隔热膜, 继承了单 Ag 隔热膜良好的光谱选择性, 同时能有效的解决 Ag 易硫化的难题, 还具有抗氧化功能, 以防止隔热膜长期放置透射率指标变化过大. NSN70 隔热膜是沉积 AgCu 合金的金属膜系结构产品, 它生产效率高、隔热性好. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
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- 2021-03-12 14:37:10KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 制备 NGZO 薄膜
- 上海某大学实验室采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 , 通入氩气和氮气, 在流量比分别为 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))条件下制备 NGZO 薄膜. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 实验室通过 XRD 和 SEM 对薄膜的物相结构和表面形貌进行分析,通过紫外可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜透过率和载流子浓度、迁移率及薄膜电阻率进行研究. 实验结果:通过与未掺入 N 的 Ga 掺杂氧化锌 (GZO) 薄膜相比, 在可见光区, 尤其是 600~800 nm 范围内, NGZO 薄膜平均透过率在80%以上,符合透明导电薄膜透过率的要求.在 N-Ga 共掺杂薄膜中, N 的掺杂主要占据 O 空位, 并吸引空位周围的电子, 这减小了薄膜晶格畸变, 并产生电子空穴, 使得薄膜中电子载流子浓度降低, 空穴载流子浓度增加, 电阻率有所增加.随着氮气流量的变化, 发现在 25 mL/min 时, 薄膜具有好的综合性能. 这种薄膜可用于紫外光探测器等需较大电阻率的应用中, 并有望实现 n-p 型转化. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
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- 2021-03-11 14:46:58KRI射频离子源RFICP380制备IFBA芯块ZrB2涂层
- 某科研机构在 IFBA 芯块 ZrB2 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助镀膜设备溅射沉积 ZrB2 涂层. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 研究利用金相显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪、电感耦合等离子体发射光谱仪、胶带粘附性剥离等方法测定了沉积 ZrB2 涂层的厚度、形貌、物相结构、成分、附着力以及沉积速率等性能参数, 研究了各溅射工艺条件如芯块表面清洁度、溅射气体压力、溅射功率密度和转鼓转速对ZrB 涂层沉积率和附着力的影响. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
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- 2021-03-01 13:17:38KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积半导体
- 河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 试验采用射频（RF）磁控溅射沉积方法, 在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.结果表明:实验所获样品 IGZO 薄膜为非晶态, 薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm, 根据光学性能测试结果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光区有较强吸收, 在 400～900nm 的可见光波段的透过率为75％～97％. 相比传统的有以下优点：更小的晶体尺寸, 设备更轻薄；全透明, 对可见光不敏感, 能够大大增加元件的开口率, 提高亮度, 降低功耗的电子迁移率大约为, 比传统材料进步非常明显, 面板比传统面板有了全面的提升. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.
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