上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 10
上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40
美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 10
上海伯东KRI 考夫曼离子源 RPICP 140
因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准
KRI 霍尔离子源 eH 1000
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 1000, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性:
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最/大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便; 无需水冷
• 等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源 eH 1000 技术参数:
型号 | eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO |
供电 | DC magnetic confinement |
- 电压 | 40-300V VDC |
- 离子源直径 | ~ 5 cm |
- 阳极结构 | 模块化 |
电源控制 | eHx-30010A |
配置 | - |
- 阴极中和器 | Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
- 离子束发散角度 | > 45° (hwhm) |
- 阳极 | 标准或 Grooved |
- 水冷 | 前板水冷 |
- 底座 | 移动或快接法兰 |
- 高度 | 4.0' |
- 直径 | 5.7' |
- 加工材料 | 金属 |
- 工艺气体 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安装距离 | 10-36” |
- 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
KRI 霍尔离子源 eH 1000 应用领域:
• 离子辅助镀膜 IAD
• 预清洗 Load lock preclean
• 预清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
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VIM-2 优势: 10 mbar（暖容器）~ 5×10⁻⁷ mbar（低温容器） 锂电池供电（>3 小时续航），蓝牙/Win 端远程操作 无电子穿透真空，抗腐蚀（1.4404/1.4034 不锈钢） <1% 年漂移率，无需校准 1s 响应（快模式），内置 1023 组数据记录 1 个读数头可匹配多个传感器，降低部署成本
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润滑油
伯东公司日本原装设计制造离子蚀刻机 IBE. 提供微米级刻蚀, 均匀性: ≤±5%, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
伯东公司日本原装进口小型离子蚀刻机, 适用于科研院所, 实验室研究, 干式制程的微细加工装置, 特别适用于磁性材料, 金, 铂及各种合金的铣削加工.
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上海伯东日本原装进口适合小规模量产使用和实验室研究的离子蚀刻机, 一般通氩气 Ar, 内部使用美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40 产生轰击离子; 终点检出器采用 Pfeiffer 残余质谱监测当前气体成分, 判断刻蚀情况.
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