上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 10
上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40
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上海伯东KRI 考夫曼离子源 RPICP 140
因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准
KRI 考夫曼离子源 KDC 40
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数
型号 | KDC 40 |
供电 | DC magnetic confinement |
- 阴极灯丝 | 1 |
- 阳极电压 | 0-100V DC |
电子束 | OptiBeam™ |
- 栅极 | 专用, 自对准 |
-栅极直径 | 4 cm |
中和器 | 灯丝 |
电源控制 | KSC 1202 |
配置 | - |
- 阴极中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
- 架构 | 移动或快速法兰 |
- 高度 | 6.75' |
- 直径 | 3.5' |
- 离子束 | 集中 |
-加工材料 | 金属 |
-工艺气体 | 惰性 |
-安装距离 | 6-18” |
- 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
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伯东公司日本原装进口小型离子蚀刻机, 适用于科研院所, 实验室研究, 干式制程的微细加工装置, 特别适用于磁性材料, 金, 铂及各种合金的铣削加工.
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上海伯东日本原装进口适合小规模量产使用和实验室研究的离子蚀刻机, 一般通氩气 Ar, 内部使用美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40 产生轰击离子; 终点检出器采用 Pfeiffer 残余质谱监测当前气体成分, 判断刻蚀情况.
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