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上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 10

品牌：美国KRI
型号： KDC 10
产地：美国
供应商报价：面议

伯东企业（上海）有限公司更新时间：2024-03-27 15:06:09

企业性质授权代理商

入驻年限第10年

营业执照已审核

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详细介绍

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准

考夫曼离子源 KDC 10

KRI 考夫曼离子源 KDC 10
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 10: 考夫曼型离子源 Gridded 系列最小型号的离子源. 适用于集成在小型的真空设备中, 例如预清洗, 离子溅射, 离子蚀刻. 在 <1000eV 低能量, 通 Ar 氩气时离子蚀刻的能力显著提高.KDC 10 离子源低损伤, 宽束设计, 低成本等优点广泛应用在显微镜领域, 标准配置下 KDC 10 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 10mA.
考夫曼离子源 KDC10
KRI 考夫曼离子源 KDC 10 技术参数

型号	KDC 10
供电	DC magnetic confinement
- 阴极灯丝	1
- 阳极电压	0-100V DC
- 栅极直径	1cm
中和器	灯丝
电源控制	KSC 1202
配置	-
- 阴极中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
- 架构	移动或快速法兰
- 高度	4.5'
- 直径	1.52'
- 离子束	集中平行散设
-加工材料	金属电介质半导体
-工艺气体	惰性活性混合
-安装距离	2-12”
- 自动控制	控制4种气体

KRI 考夫曼离子源 KDC 10 应用领域
离子清洗, 显微镜抛光 IBP
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

产品优势

KRI 考夫曼离子源 KDC 10 应用领域
离子清洗, 显微镜抛光 IBP
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

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