真空运动平台 - 产品信息 - 相关知识

2025-01-21 09:33:41真空运动平台: 真空运动平台是在真空环境中使用的精密运动控制平台。它具备高精度、高稳定性、低振动等特点，适用于半导体制造、纳米技术、航空航天等领域。真空运动平台能够实现微小的位移和精确的定位，对提升产品质量、推动技术进步具有重要意义。

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物理研究所光物理重点实验室关于采购真空运动平台(50-100万)

中科院物理研究所光物理重点实验室真空运动平台采购项目，采购预算人民币74.2万元。

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2021-11-30
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2025-06-12 11:00:23扫频仪怎么测阻抗运动: 扫频仪（频谱分析仪）作为一种广泛应用于电气测试与分析的仪器，其主要功能是用于测量信号的频率响应以及各种电子设备的特性。在众多应用场景中，扫频仪被用来测量阻抗运动。阻抗测试是电子设备性能评估中至关重要的一环，它帮助我们更好地理解电路在不同频率下的响应特性。本文将深入探讨扫频仪如何精确测量阻抗运动，分析其工作原理及实际操作过程，帮助您掌握这一专业技能。扫频仪的基本原理扫频仪，顾名思义，通过连续变化的频率对目标设备进行扫频分析。其核心原理是通过改变测试信号的频率范围，来检测电路或设备在每个频率点的阻抗变化。扫频仪不仅能够提供频率响应图，还可以精确显示设备在不同频率下的阻抗值，进而帮助工程师进行性能评估。阻抗的变化，尤其是随着频率变化的响应，对于精确调试和优化电路性能至关重要。扫频仪测量阻抗运动的步骤连接测试设备：确保扫频仪与被测设备的连接正确。通常情况下，扫频仪通过适配器与测试设备或电路连接，形成闭环回路，确保测量数据的准确性。选择适当的频率范围：根据测试需求，设置扫频仪的频率范围。不同的设备可能在不同的频率段表现出不同的阻抗特性，选择一个合适的频率范围是精确测量的前提。开始扫频操作：启动扫频仪，逐步改变频率，扫频仪会自动记录每个频率点下的阻抗值。此过程需要确保测试信号稳定，并对测量环境进行必要的优化，以减少干扰。分析结果：扫频仪会生成频率与阻抗的关系图。这一图表展示了不同频率下设备的阻抗响应，通过分析这些数据，可以识别电路中的异常或者优化的空间。校准与调整：根据测量结果，可以进行相应的校准和调整，确保设备在目标频率范围内的性能达到佳。扫频仪测量阻抗运动的关键注意事项在进行阻抗测量时，工程师需特别注意以下几个方面：信号质量：测量的精确性与扫频仪输出信号的质量息息相关。使用高质量的信号源可以减少误差。设备接地：不恰当的接地会引入噪声，导致测量结果不准确，因此在测试过程中确保良好的接地非常重要。温度与环境：测量过程中，温度和环境的变化可能会影响阻抗值，特别是在高精度测试时。应尽可能在恒定的环境条件下进行测试。结论扫频仪作为一种强大的测试工具，能够精确测量阻抗随频率变化的运动情况。通过合理设置仪器、操作和环境优化，工程师能够获取设备在不同频率下的阻抗响应，为电路优化和性能评估提供科学依据。掌握扫频仪的使用方法，不仅能提高测量效率，还能为电子产品的开发和调试提供强大的技术支持。

2025-10-16 16:07:04真空密封性测试仪的优势是什么？: 真空密封性测试仪HD-MF01A采用世界知名SMC进口的气动元件，性能稳定可靠。系统采用数字预置试验真空度及真空保持时间，确保测试数据的准确性。自动恒压补气进一步确保测试能够在预设的真空条件下进行，抽压、保压、补压、计时、反吹全自动化一键操作；系统采用微电脑控制，搭配液晶显示屏，实体按键操作，方便更换检测地点。真空密封性测试仪符合多项国家和国际标准：GB/T15171、ASTMD3078、GB/T27728、YBB00112002-2015、YBB00122002-2015、YBB00262002-2015、YBB0005-2015、YBB00092002-2015、YBB00392003-2015、YBB00112002-2015。

2025-11-20 14:06:13数字化管理平台如何赋能科研创新: 一个配置完善的研发实验室，其高效运转依赖于硬件设施与软件系统的协同支撑。硬件是实验开展的物质基础，而软件系统则显著提升数据管理效率与科研协作水平。软件系统：数字化管理，筑牢研发核心在数字化管理方面，引入专业系统能够实现实验流程与数据的规范化管理，从而提升研发效率并确保合规性。King’s 系列系统凭借其高度适配性与全面功能，成为研发实验室的理想选择：1. King's LIMS 实验室信息管理系统核心价值：遵循 ISO/IEC 17025 等标准，覆盖“人、机、料、法、环、测”全要素管理，支持样品跟踪、实验流程审批、质量体系落地及数据统计分析。技术优势：兼容国产操作系统与数据库，采用微服务架构，具备良好的扩展性，可灵活适配不同规模实验室的业务需求。2. King's ELN 电子实验记录系统核心价值：全面替代纸质记录，支持结构化数据录入、实验步骤模板化、公式自动计算与全流程数据溯源（操作人、时间、修改痕迹全程留痕）。实用功能：支持PC/移动端协同操作，具备权限分级管控与数据加密存储机制，确保研发数据的完整性、一致性与可追溯性。3. King's SDMS 仪器数据采集及科学数据管理系统核心价值：专注于原始数据管理，可自动采集 700 + 种实验室仪器的原始数据，有效避免人工录入误差。采集方式：支持文档型、串口、网络API及设备直采等多种模式，保障数据采集过程便捷、高效、准确与安全。4. King's BI 高性能敏捷分析系统核心价值：面向实验室海量实验与运营数据设计，通过清洗整合多源数据、建立模型算法，满足用户在报表、数据可视化、自助探索分析、数据挖掘建模、智能分析等各类需求，实现自动化智能数据分析，挖掘隐藏在数据背后有价值的信息。技术优势：精准应对实验室数据处理难点，适配大数据分析场景，分析过程高效智能，赋能数据驱动型决策。面向未来的研发实验室，是先进硬件（合理的空间布局、可靠的环境控制、完备的安全设施与尖端的仪器设备）与智能化软件平台深度融合的产物。在规划之初，不仅需满足当前研发任务，更应着眼于长远，充分考虑系统的灵活性、可扩展性（如模块化设计）与技术演进方向，从而构建一个安全、高效、能够持续支撑科技创新与突破的研发环境。

2023-07-29 11:31:59真空BNC连接器产品优势: 同轴真空BNC接头是一种常见的射频连接器，广泛应用于射频和微波通信、数据处理及测量设备。BNC（Bayonet Neill-Concelman）接头是由美国的Paul Neill和Carl Concelman于1945年发明的。以下是同轴真空BNC接头的一些特点和优势：1. 易于连接和断开：BNC接头采用了快速卡口式结构，使得连接和断开变得非常方便。用户只需将插头插入座子，然后旋转90度即可完成连接。2. 较低的插损：同轴真空BNC接头的设计使得在连接过程中的信号损失较低，提高了设备的性能。3. 良好的屏蔽性能：BNC接头具有良好的屏蔽性能，能有效阻止外部电磁干扰，确保信号的稳定传输。4. 兼容性强：BNC接头广泛应用于各种设备之间的连接，具有很强的通用性和兼容性。5. 经济实用：同轴真空BNC接头的生产成本相对较低，使得它在许多应用场景中成为主要的连接器。6. 频率范围：BNC接头的工作频率范围可达到4 GHz，适用于多种射频和微波通信场景。7. 真空兼容性：同轴真空BNC接头经过特殊处理，可在真空环境中使用，适用于高真空和超高真空系统。需要注意的是，随着通信技术的发展，BNC接头的频率范围可能不足以满足一些高性能应用的需求。在这种情况下，可以考虑使用其他更高频率的同轴连接器，如SMA、N型等。

2023-02-15 14:54:00真空蒸发镀膜技术原理: 真空蒸发镀膜技术原理一、蒸发镀膜简述：真空蒸发镀膜（简称真空蒸镀）是指在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到固体（称为衬底或基片）表面，凝结形成固态薄膜的方法。由于真空蒸发法或真空蒸镀法主要物理过程是通过加热蒸发材料而产生，所以又称热蒸发法或者热蒸镀，所配套的设备称之为热蒸发真空镀膜机。这种方法zui早由M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。尽管后来发展起来的溅射镀和离子镀在许多方面要比蒸镀优越，但真空蒸发技术仍有许多优点，如设备与工艺相对比较简单，即可镀制非常纯净的膜层，又可制备具有特定结构和性质的膜层等，仍然是当今非常重要的镀膜技术。近年来，由于电子轰击蒸发，高频感应蒸发及激光蒸发等技术在蒸发镀膜技术中的广泛应用，使这一技术更趋完善。近年来，该法的改进主要是在蒸发源上。为了抑制或避免薄膜原材料与蒸发加热器发生化学反应，改用耐热陶瓷坩埚，如 BN坩埚。为了蒸发低蒸气压物质，采用电子束加热源或激光加热源。为了制造成分复杂或多层复合薄膜，发展了多源共蒸发或顺序蒸发法。为了制备化合物薄膜或抑制薄膜成分对原材料的偏离，出现了反应蒸发法等。二、热蒸镀工作原理：真空蒸发镀膜包括以下三个基本过程∶（1）加热蒸发过程。包括由凝聚相转变为气相（固相或液相→气相）的相变过程。每种蒸发物质在不同温度时有不相同的饱和蒸气压;蒸发化合物时，其组分之间发生反应，其中有些组分以气态或蒸气进入蒸发空间。（2）气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运过程，即这些粒子在环境气氛中的飞行过程。飞行过程中与真空室内残余气体分子发生碰撞的次数，取决于蒸发原子的平均自由程，以及从蒸发源到基片之间的距离，常称源-基距。（3）蒸发原子或分子在基片表面上的沉积过程，即是蒸气凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜。由于基板温度远低于蒸发源温度，因此，沉积物分子在基板表面将直接发生从气相到固相的相转变过程。将膜材置于真空镀膜室内，通过蒸发源加热使其蒸发，当蒸发分子的平均自由程大于真空镀膜室的线性尺寸时，蒸汽的原子和分子从蒸发源表面逸出后，在飞向基片表面过程中很少受到其他粒子（主要是残余气体分子）的碰撞阻碍，可直接到达被镀的基片表面，由于基片温度较低，便凝结其上而成膜，为了提高蒸发分子与基片的附着力，对基片进行适当的加热是必要的。为使蒸发镀膜顺利进行，应具备蒸发过程中的真空条件和制膜过程中的蒸发条件。蒸发过程中的真空条件：真空镀膜室内蒸汽分子的平均自由程大于蒸发源与基片的距离（称做蒸距）时，就会获得充分的真空条件。为此，增加残余气体的平均自由程，借以减少蒸汽分子与残余气体分子的碰撞概率，把真空镀膜室抽成高真空是非常必要的。否则，蒸发物原子或分子将与大量空气分子碰撞，使膜层受到严重污染，甚至形成氧化物；或者蒸发源被加热氧化烧毁；或者由于空气分子的碰撞阻挡，难以形成均匀连续的薄膜。三、真空蒸镀特点: 优点：设备比较简单、操作容易；制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控制；成膜速率快，效率高；薄膜的生长机理比较简单；缺点：不容易获得结晶结构的薄膜；所形成的薄膜在基板上的附着力较小；工艺重复性不够好等。四、蒸发源的类型及选择：蒸发源是用来加热膜材使之气化蒸发的装置。目前所用的蒸发源主要有电阻加热，电子束加热，感应加热，电弧加热和激光加热等多种形式。电阻加热蒸发装置结构较简单，成本低，操作简便，应用普遍。电阻加热式蒸发源的发热材料一般选用W、Mo、Ta、Nb等高熔点金属，Ni、Ni-Cr合金。把它们加工成各种合适的形状，在其上盛装待蒸发的膜材。一般采用大电流通过蒸发源使之发热，对膜材直接加热蒸发，或把膜材放入石墨及某些耐高温的金属氧化物（如Al2O3，BeO）等材料制成的坩埚中进行间接加热蒸发。采用电阻加热法时应考虑的问题是蒸发源的材料及其形状，主要是蒸发源材料的熔点和蒸气压，蒸发源材料与薄膜材料的反应以及与薄膜材料之间的湿润性。因为薄膜材料的蒸发温度（平衡蒸气压为1. 33 Pa时的温度）多数在1 000 ~2 000 K之间，所以蒸发源材料的熔点需高于这一温度。而且．在选择蒸发源材料时必须考虑蒸发源材料大约有多少随蒸发而成为杂质进入薄膜的问题。因此，必须了解有关蒸发源常用材料的蒸气压。为了使蒸发源材料蒸发的分子数非常少，蒸发温度应低于蒸发源材料平衡蒸发压为1. 33×10-6Pa时的温度。在杂质较多时，薄膜的性能不受什么影响的情况下，也可采用与1. 33×10-2Pa对应的温度。综上所述，蒸发源材料的要求：1、高熔点：必须高于待蒸发膜材的熔点（常用膜材熔点1000～2000℃）2、饱和蒸气压低：保证足够低的自蒸发量，不至于影响系统真空度和污染膜层3、化学性能稳定：在高温下不应与膜材发生反应，生成化合物或合金化4、良好的耐热性5、原料丰富、经济耐用蒸发材料对蒸发源材料的“湿润性”：选择蒸发源材料时，必须考虑蒸镀材料与蒸发材料的“湿润性”问题。蒸镀材料与蒸发源材料的湿润性”与蒸发材料的表面能大小有关。高温熔化的蒸镀材料在蒸发源上有扩展倾向时，可以认为是容易湿润的;如果在蒸发源上有凝聚而接近于形成球形的倾向时，就可以认为是难干湿润的在湿润的情况下，材料的蒸发是从大的表面上发生的且比较稳定，可以认为是面蒸发源的蒸发;在湿润小的时候，一般可认为是点蒸发源的蒸发。如果容易发生湿润，蒸发材料与蒸发源十分亲和，蒸发状态稳定;如果是难以湿润的，在采用丝状蒸发源时，蒸发材料就容易从蒸发源上掉下来。五、合金与化合物的蒸发： 1、合金的蒸发：采用真空蒸发法制作预定组分的合金薄膜，经常采用瞬时蒸发法、双蒸发源法。分馏现象：当蒸发二元以上的合金及化合物时，蒸发材料在气化过程中，由于各成分的饱和蒸气压不同，使得其蒸发速率也不同，得不到希望的合金或化合物的比例成分，这种现象称为分馏现象。（1）瞬时蒸发法：瞬时蒸发法又称“闪烁”蒸发法。将细小的合金颗粒，逐次送到非常炽热的蒸发器中，使一个一个的颗粒实现瞬间完全蒸发。关键以均匀的速率将蒸镀材料供给蒸发源粉末粒度、蒸发温度和粉末比率。如果颗粒尺寸很小，几乎能对任何成分进行同时蒸发，故瞬时蒸发法常用于合金中元素的蒸发速率相差很大的场合。优点：能获得成分均匀的薄膜，可以进行掺杂蒸发等。缺点：蒸发速率难以控制，且蒸发速率不能太快。（2）双源蒸发法：将要形成合金的每一成分，分别装入各自的蒸发源中，然后独立地控制各个蒸发源的蒸发速率，使达到基板的各种原子与所需合金薄膜的组成相对应。为使薄膜厚度分布均匀，基板常需要进行转动。2、化合物的蒸发：化合物的蒸发方法：（1）电阻加热法（2）反应蒸发法（3）双源或多源蒸发法（4）三温度法（5）分子束外延法反应蒸发法主要用于制备高熔点的绝缘介质薄膜，如氧化物、氮化物和硅化物等。而三温度法和分子外延法主要用于制作单晶半导体化合物薄膜，特别是III-V族化合物半导体薄膜、超晶格薄膜以及各种单晶外延薄膜等。将活性气体导入真空室，使活性气体的原子、分子和从蒸发源逸出的蒸发金属原子、低价化合物分子在基板表面淀积过程中发生反应，从而形成所需高价化合物薄膜的方法。不仅用于热分解严重，而且用于因饱和蒸气压较低而难以采用电阻加热蒸发的材料。经常被用来制作高熔点的化合物薄膜，特别是适合制作过渡金属与易分解吸收的02， N2等反应气体所组成的化合物薄膜（例如SiO2、ZrN、AlN、SiC薄膜）。在反应蒸发中，蒸发原子或低价化合物分子与活性气体发生反应的地方有三种可能，即蒸发源表面、蒸发源到基板的空间和基板表面。