表面接枝率测定-低场核磁法

纳米级二氧化硅作为典型的纳米颗粒材料具有分散性好,比表面积大,亲水性、力学补强性、增稠性及防粘结性等特性,广泛应用于电子封装材料、高分子复合材料、塑料、涂料、橡胶、颜料、陶瓷、胶黏剂、玻璃钢、药物载体、化妆品及kang菌材料、油墨等领域。

二氧化硅纳米颗粒表面存在大量的不同状态的羟基不饱和残键,亲水疏油,易于团聚,必须要对其进行功能化改性,以提高性能及应用范围。

表面接枝率测定-低场核磁法应用:

样品:二氧化硅等无机颗粒,ABS等表面接枝聚合物

规格:可装入10mm口径试管,装样高度不超过2cm注意事项:样品不得含有大量铁磁性物质

表面接枝率测定-低场核磁法的优势:

1. 检测成本低

2.快速简单

3.适用于宏观样品等特性

4.无需任何专业操作员培训

表面接枝率测定-低场核磁法应用基本原理:

LU等科学家采用多洛伦兹分裂算法将游离PEG的NMR信号与接枝的NMR信号区分开,从而可以使用1H-NMR对接枝过程进行原位监测。该方法的优点是不受接枝基团末端官能团类型、表面化学性质、纳米粒子或组成的限制,它还为相关科学研究提供表征纳米颗粒上基团接枝密度的关键和标准指南。低场核磁技术因为其设备成本较低,使用简单,适用于宏观样品等特性,非常适用于快速测定颗粒表面接枝率测定。它通过MSE系列序列实现死时间内的1H核磁信号采集,zui大程度的采集到了接枝在颗粒表面的基团中H原子核的信号,利用外标法进行定量分析。

低场核磁法用于表面接枝率测定

科研中由于做表面接枝改性实验,有很多相关的数据需要和接枝率相联系起来,但是不知道用什么方法来完成表面接枝率测定。本文介绍的低场核磁法是一种快速无损的检测方法,推荐大家使用。