三维光刻机提高分辨率的途径

       三维光刻机的主要作用：光源发出光，通过光学镜片系统，将掩模台上掩模板的图形投影到工件台的硅片上，对硅片表面形成曝光，即实现将电路走线光刻到芯片上的功能。

       三维光刻机的三大指标：分辨率、套刻精度和产片率。国际上Z 先  进的光刻机ASML公司的EUV光刻机NXE3600D，采用极紫外光源。国内量产机型为90nm，大幅落后国际先进水平。

       三维光刻机提高分辨率途径：（1）减小光源波长；（2）增加浸液系统。光刻机经历了g-line→i-line→KrF→干式ArF→浸没式ArF→EUV。

       套刻精度和产片率则主要和光刻机中的超精密定位平台性能有关。

       三维光刻机主要包括：光源系统、浸液系统、光学系统、工件台掩模台系统。其中工件台掩模台为光刻机中的超精密定位平台。