尼康主要的光刻机型号及其关键参数

尼康主要的光刻机型号及其关键参数

尼康（Nikon）是光刻机领域的重要厂商之一，尤其在DUV（深紫外）光刻机市场中占据重要地位。以下是尼康主要的光刻机型号及其关键参数，涵盖i-line、KrF和ArF等技术节点，以及与EUV（极紫外）相关的信息。

1. i-line 光刻机（365nm）

适用于成熟制程（如IC、MEMS、功率器件等）：

NSR-SF150

分辨率：≥0.35 μm

套刻精度：≤10 nm

产能：≥200 wph（300mm晶圆）

应用：半导体封装、LED制造等。

NSR-2205iL1

分辨率：0.4 μm

曝光场尺寸：22×22 mm

适用晶圆：200mm/300mm

2. KrF 光刻机（248nm）

适用于中端制程（如180nm~65nm节点）：

NSR-S620D

分辨率：≤0.13 μm（通过分辨率增强技术）

套刻精度：≤5 nm

产能：≥180 wph（300mm晶圆）

特点：支持双工件台（Dual Stage）技术。

NSR-S305F

分辨率：0.11 μm

套刻精度：≤7 nm

适用晶圆：200mm

3. ArF 光刻机（193nm Dry/Wet）

适用于先进制程（65nm~7nm，配合多重曝光）：

干式 ArF（Dry）

NSR-S631E

分辨率：≤65 nm（单次曝光）

套刻精度：≤3 nm

产能：≥150 wph

应用：CMOS、存储器等。

浸没式 ArF（Immersion）

NSR-S635E

分辨率：≤38 nm（单次曝光）

套刻精度：≤2.5 nm

产能：≥140 wph

特点：支持液浸技术（NA≥1.30），用于7nm/10nm节点（需多重曝光）。

NSR- S636E（最 新型号）

分辨率：≤32 nm（单次曝光）

NA值：1.35

套刻精度：≤2 nm

产能：≥160 wph

4. EUV 光刻机（极紫外，13.5nm）

尼康曾研发EUV技术，但当前市场由ASML主导。尼康的EUV光刻机未大规模商用，仅限实验用途：

NSR-EUVL（原型机）

波长：13.5 nm

分辨率：≤16 nm

光源功率：低（与ASML差距较大）

现状：已暂停开发，转向High-NA EUV预研。

5. 电子束光刻（EBL）

NSR-EB1

分辨率：≤10 nm（直接写入）

应用：掩模版制作、纳米器件研发。

关键参数对比表

尼康 vs. ASML

优势：尼康在成熟制程（i-line/KrF）中性价比高，维护成本低。

劣势：在EUV和High-NA领域落后于ASML，ArF浸没式机型市场份额较小。