离子刻蚀与沉积系统

Appsilon MPCVD

德国Sentech ICP-RIE等离子蚀刻机SI 500，8英寸的晶圆

SI 500-300多晶圆等离子刻蚀机 300 mm / 400 mm 载板，用于多片晶圆

德国Sentech 等离子刻蚀机 SI 500 RIE，RIE 蚀刻机，最大 8 英寸晶圆, 带可选的 ICP 源扩展

德国Sentech 低温等离子蚀刻机 SI 500 C，最大 8 英寸晶圆，-150°C...+150°C

德国Sentech 反应离子刻蚀机 Etchlab 200，最大 8 英寸晶圆，硅及相关材料的蚀刻

德国Sentech 多晶圆等离子体反应刻蚀机 Etchlab 380，最大 300 mm 晶圆，用于多个晶圆的 380 mm 载体

德国 Sentech 等离子刻蚀机 SI 591， 所有材料的蚀刻，金属溅射，亚微米蚀刻

德国Sentech PECVD沉积设备 Depolab 200， 最大 8 英寸晶圆，高达 400°C 的基板温度，低频混合，300-500 kHz 可选

德国Sentech PECVD沉积设备 SI 500 PPD,最大 8 英寸晶圆, 高达 350°C 的基板温度, 低频混合，300-500 kHz可选

德国Sentech PECVD沉积设备 SI 500 D，最大 8 英寸晶圆，RT....300/400°C 基板温度

德国Sentech 原子层沉积设备 SI ALD / SI PEALD，在 8 英寸晶圆和玻璃基板上实现高度均匀的薄膜厚度，400/500°C 基板温度

德国Sentech 原子层沉积设备 SI ADL LL/ SI PEALD LL,在 8 英寸晶圆和玻璃基板上实现高度均匀的薄膜厚度, 在具有高纵横比的模型上进行 3D保形沉积, 400/500°C

德国Sentech多腔体沉积镀膜刻蚀设备,集群配置,所有等离子工具都可以排列在一个集群工具中。提供用于研发和高吞吐量生产的集群。通过单个晶圆装载锁和/或晶圆盒站装载晶圆。

德国Sentech激光干涉仪 SLI 670，670 nm 波长，光斑尺寸 100 μm，电动载物台，反射率和干涉模式

美Nano-master RIE反应离子刻蚀系统 NRR-4000 独立式双RIE或ICP刻蚀系统 NRE-4000 独立式RIE或ICP系统 NRE-3000 台式RIE系统 ...