德国Sentech ICP-RIE等离子蚀刻机 SI 500
德国 Sentech 多晶圆等离子刻蚀机 SI 500-300
德国Sentech 等离子刻蚀机 SI 500 RIE
德国Sentech 低温等离子蚀刻机 SI 500 C
德国Sentech 反应离子刻蚀机 Etchlab 200
德国Sentech 低温等离子蚀刻机 SI 500 C
主要特点
❑电极温度 -150°C….+150°C
❑PTSA 200 ICP 源
❑动态温度控制
❑高速泵送
应用特点
·深硅蚀刻
·高纵横比
·高灵敏度
技术特点
❑-150°C...+150°C
❑10 升/小时 LN2 消耗量
❑ICP，1100 瓦，13.56 MHz
❑偏置，600 W，13.56 MHz
❑1360 l/s 涡轮分子泵、旋转或干式前级泵
❑最 大 8 英寸晶圆
❑用于 12/16 条燃气管线的气箱
❑基于 Windows 的 SENTECH 操作软件
❑OES、SLI、衬板、腔室加热、冷却器、反应器截止阀可选
报价：￥5000000
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报价：￥5000000
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IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统，适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统，适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter，灵活的基板尺寸，最大可达6英寸，基板架加热温度最高可达500℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%， 最多可配备5个6英寸磁控溅射源（可选配3或4个），支持射频、直流或脉冲直流电源，最多可支持3条气体管路，支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ，灵活的基板尺寸，最大可达6英寸， 基板架加热温度最高可达500℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%，可选配电子束或热舟蒸发源（最多3个），速率控制沉积，可沉积多层薄膜，选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter，灵活的基板尺寸，最大可达12英寸或200×200毫米， 基板架加热温度最高可达800℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源（数量最多 8 个），可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积，包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求，包括OLED、OPV、OPD等。
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