激光椭偏仪SE 500adv， 结合椭偏反射CER的SE 500adv 椭偏仪SE 500adv将激光椭偏仪和反射仪结合在一个系统中。这种组合允许零度反射法用于快速薄膜分析，并且允许透明膜以...

ICP-RIE SI 500 德国Sentech等离子刻蚀机，低损伤刻蚀，高速刻蚀。

PECVD Depolab 200 等离子体沉积机，将平行板等离子体源设计与直接负载相结合。depolab200可以升级为更大的抽油机、低频电源和额外的燃气管道。

SENTECH SI 500 电感耦合等离子体ICP干法刻蚀系统，感应耦合等离子刻蚀机台，低损伤纳米结构刻蚀，高速率刻蚀，内置ICP等离子源，动态温控。

德国 Sentech SI 500 PPD等离子沉积机，使用方便沉淀SiO2、SiNx、SiOxNy的标准工艺，a- si在室温到350℃之间。真空loadlock SI 500 PPD的特点是真空加...

德国 Sentech SI 500 D 等离子沉积机，具有特殊的等离子体特性，如高密度、低离子能量和介质膜的低压沉积。

Etchlab200 德国Sentech 经济型反应离子刻蚀机(可升级)，EtchLab 200 允许通过载片器，实现多片工艺样品的快速装载，也可以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备...

原子层沉积（ALD）是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法。薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积（PEALD）是用等离子化的气态原子替代水作...

SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。

ENTECH RIE SI591 平板电容式反应离子刻蚀机，兼容多种氯基或氟基刻蚀工艺；小型化和高度模块化；SENTECH控制软件；Process flexibility工艺灵活性，反应离子刻蚀机 S...

PECVD等离子体沉积工具Depolab 200将平行板等离子体源设计与直接负载相结合。

SI 500D 代表了等离子体增强化学气相沉积介电薄膜、a-Si、SiC和其他材料的前沿。它基于PTSA等离子体源，反应气体分离气体入口，动态控温基片电极，全控真空系统，采用远程现场总线技术的先进森泰...

SI 500 PPD是一种先进的等离子体增强化学气相沉积介质薄膜的工具，硅、碳化硅和其他材料。它是基于平面电容耦合等离子体源，真空加载锁定， 控温基片电极，可选配低频混频，全控无油真空系统采用先...

衬底温度的设置和蚀刻过程的稳定性是高质量蚀刻的要求。采用动态温度控制的ICP基片电极，结合He背面冷却和基片背面温度传感，在-150℃到+400℃的大范围温度范围内，提供了优良的工艺条件。

衬底温度的设置和蚀刻过程的稳定性是高质量蚀刻的要求。采用动态温度控制的ICP基片电极，结合He背面冷却和基片背面温度传感，在-150℃到+400℃的大范围温度范围内，提供了优良的工艺条件。

Etchlab200 德国Sentech 经济型反应离子刻蚀机(可升级),经济型刻蚀机应用范围：硅、硅化物、III-V族化合物半导体、电介质和金属等材料。直接装片型、可升级、在线监控、大尺寸观察窗、远...