镀膜沉积系统

Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter，灵活的基板尺寸，最大可达6英寸，基板架加热温度最高可达500℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%， 最多可配备5个6英寸磁控溅射源（可选配...

Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ，灵活的基板尺寸，最大可达6英寸， 基板架加热温度最高可达500℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%，可选配电子束或热舟蒸发源（最多3个...

高真空溅射系统 HV Sputter，灵活的基板尺寸，最大可达12英寸或200×200毫米， 基板架加热温度最高可达800℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%

超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源（数量最多 8 个），可选强磁版本

Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积，包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求，包括OLED、OPV、O...

Syskey 超高真空热蒸发镀膜机UHV Thermal, • 灵活的基板尺寸可达 8 英寸• 基板支架加热至 800 °C• 优异的薄膜均匀性小于 ±3%• 船和电池源（数量最多 6 个）• 可以...

Syskey 高真空电子束镀膜系统 HV E-beam， 灵活的基板尺寸可达 12 英寸，• 优异的薄膜均匀性小于 ±3%

Syskey Lift-off E-beam 电子束蒸发镀膜系统， 灵活的基板尺寸可达 12 英寸， 优异的薄膜均匀性小于 ±3%

Syskey 超高真空电子束镀膜 UHV E-beam, 灵活的基板尺寸可达 12 英寸• 基板支架水、油或 LN2 冷却和倾斜• 优异的薄膜均匀性小于 ±3%• 4/6/8 个口袋电子束光源（每...

Syskey 积沉多腔体镀膜系系统 PVD Cluster,设备可以在真空环境下制造，提供目标设备的最佳性能。各种PVD技术可以按一定的工艺流程集成在一起。集群工具可以是被定义为设备制造的专用工具。

Syskey 小型多腔体镀膜机 Mini Cluster,真空技术在半导体行业中发挥着重要作用。半导体溅射、光刻、蚀刻等制造工艺需要在真空室中进行，以减少气体分子对基板的影响, 经过加工，保证生产质量...

Syskey 等离子增强原子沉积 PEALD, 用于超薄氧化物和氮化物涂层的 ALD 和 PEALD 系统。6 前体线路可支持5种材料沉积，气体管路拓宽反应窗户。紧凑的手套箱集成不占用额外的实验室空间...

Syskey 等离子增强多腔体系统 PEALD Cluster,双工艺室 PEALD 系统可用于薄膜封装。单室仅用于某些薄膜沉淀。样品被转移自动在两个工艺室之间。• 灵活的基板尺寸可达 12 英寸...

Syskey 等离子增强化学气相沉积 PECVD, 用于的 PECVD 系统, 气体管线可实现硅基材料沉积。 • 灵活的基板尺寸可达 12 英寸 • 基板支架加热至 400 °C • ...

Syskey 感应耦合-反应离子刻蚀机 ICP-RIE,用于氧化物和氮化物蚀刻的 ICP-RIE 系统。气体管线可实现金属蚀刻。全自动作，支持一键工序。

Syskey RIE 反应离子刻蚀机，用于氧化物和氮化物蚀刻的 RIE 系统。气体管线可实现硅基材料刻蚀。全自动作，支持一键工序。