SYSKEY紧凑式溅射系统 Compact Sputter
SYSKEY紧凑式热蒸发镀膜系统 Compact Thermal
SYSKEY 高真空溅射系统 HV Sputter
SYSKEY超高真空磁控溅射镀膜机UHV Sputter
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal
Syskey 超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter
特高压环境的特点是压力低于 
Torr，这对科学研究，因为实验通常需要保持表面处于污染状态自由邦。我们在制造超导体、自旋电子学、氧化物外延、压电等的特高压溅射系统方面经验丰富。
配置和优势：
• 基板支架加热至 800 °C
• 优异的薄膜均匀性小于 ±3%
• 磁控溅射源（数量最多 8 个），可选强磁版本
• 用于非导电或导电目标的射频、直流或脉冲直流• 使用选定的目标材料沉积多层薄膜
• 可与其他特高压沉积系统集成
报价：面议
已咨询96次镀膜沉积系统
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已咨询98次镀膜沉积系统
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已咨询95次Syskey 台湾
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已咨询84次镀膜沉积系统
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已咨询904次脉冲激光沉积系统
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已咨询109次Syskey 台湾
报价：￥2500000
已咨询3947次仪器
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已咨询109次镀膜沉积系统
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统，适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统，适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter，灵活的基板尺寸，最大可达6英寸，基板架加热温度最高可达500℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%， 最多可配备5个6英寸磁控溅射源（可选配3或4个），支持射频、直流或脉冲直流电源，最多可支持3条气体管路，支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ，灵活的基板尺寸，最大可达6英寸， 基板架加热温度最高可达500℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%，可选配电子束或热舟蒸发源（最多3个），速率控制沉积，可沉积多层薄膜，选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter，灵活的基板尺寸，最大可达12英寸或200×200毫米， 基板架加热温度最高可达800℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源（数量最多 8 个），可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积，包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求，包括OLED、OPV、OPD等。
台湾矽碁
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