SYSKEY紧凑式溅射系统 Compact Sputter
SYSKEY紧凑式热蒸发镀膜系统 Compact Thermal
SYSKEY 高真空溅射系统 HV Sputter
SYSKEY超高真空磁控溅射镀膜机UHV Sputter
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal
Syskey 超高真空热蒸发镀膜机UHV Thermal
特高压环境的特点是压力低于
Torr,这非常对科学研究很重要,因为实验通常要求表面保持无污染状态。我们在制造特高压方面很成熟适用于各种应用的热蒸发系统。

配置和优点:
• 灵活的基板尺寸可达 8 英寸
• 基板支架加热至 800 °C
• 优异的薄膜均匀性小于 ±3%
• 船和电池源(数量最多 6 个)• 可以共蒸发和掺杂。• 用选定的目标材料沉积多层薄膜
• 可与其他沉积系统集成

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已咨询85次镀膜沉积系统
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报价:¥100000
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已咨询642次脉冲激光沉积系统
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸,基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%, 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个),支持射频、直流或脉冲直流电源,最多可支持3条气体管路,支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸, 基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%,可选配电子束或热舟蒸发源(最多3个),速率控制沉积,可沉积多层薄膜,选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达12英寸或200×200毫米, 基板架加热温度最高可达800℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源(数量最多 8 个),可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积,包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求,包括OLED、OPV、OPD等。