ixion 193 SLM 准分子激光器
ixion 193 SLM 准分子激光器
ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Raith 150 Two 高分辨电子束曝光系统
德国Raith CHIPSCANNER 电子束光刻机
ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
NXT:1980Di 虽然分辨率在38nm左右，但是通过多重曝光，依然可以支持到7nm左右。只不过，这样步骤更为复杂，成本更高，良率可能也会有损失。据说台积电的第 一代7nm工艺也是基于 NXT:1980Di 实现的。
目前NXT:1980Di 更多还是被用于45nm以下成熟制程的生产
目前NXT:1980系列已经升级到了NXT:1980 F，NXT:1980D是两代之前的产品了。之前的NXT:1980 D/E都是基于NXT3平台，F是新的NXT4平台，每小时的生产晶圆数量从275wph上升到了295wph，而且NXT4平台还能支持后续升级到330-350wph。
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已咨询223次光刻机/3D打印机/电子束直写仪
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IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统，适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统，适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter，灵活的基板尺寸，最大可达6英寸，基板架加热温度最高可达500℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%， 最多可配备5个6英寸磁控溅射源（可选配3或4个），支持射频、直流或脉冲直流电源，最多可支持3条气体管路，支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ，灵活的基板尺寸，最大可达6英寸， 基板架加热温度最高可达500℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%，可选配电子束或热舟蒸发源（最多3个），速率控制沉积，可沉积多层薄膜，选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter，灵活的基板尺寸，最大可达12英寸或200×200毫米， 基板架加热温度最高可达800℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源（数量最多 8 个），可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积，包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求，包括OLED、OPV、OPD等。
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