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光刻机 / 紫外曝光机 (Mask Aligner) M-100
- 品牌:深圳科时达
- 型号: M-100
- 产地:亚洲 韩国
- 供应商报价:面议
- 深圳市科时达电子科技有限公司 更新时间:2024-09-14 06:18:53
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销售范围售全国
入驻年限第3年
营业执照已审核
- 同类产品光刻机(12件)
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产品特点
- 原产国: 韩国,唯一能做到图形化蓝宝石衬底(PSS)光刻机,高性价比
型号:KCMA-100;
又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统,光刻机,紫外曝光机等;
ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商,多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产,并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域;该公司是目前世界上Z早将光刻机商品化的公司之一,拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力;并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用;以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务,赢得了用户的青睐。
感谢南开大学,中科院半导体所,中科院长春应化所,中科院物理所,浙江师范大学使用此设备做课题研究!!
此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比Z高的型号,达到欧美品牌的对准精度,CCD显示屏对准更为方便,液晶触摸屏操作,采用欧司朗紫外灯,寿命长。整机效果皮实耐用,正常使用3年内不会出问题!!
目前,上海蓝光已采用该公司全自动型光刻机做LED量化生产,证明其品质达到LED产业标准要求!!而且已经成功提供图形化蓝宝石衬底(PSS)光刻工艺设备.
详细介绍
技术参数:
- 基片尺寸:4、6、8、12、25英寸,其他尺寸可定制;
- 光束均匀性:<±3%;
- 曝光时间可调范围:0.1 to 999.9秒;
- 对准精度:0.6-1微米
- 分辨率:1微米;
- 光束输出强度:15-25mW/cm2;项目 技术规格 曝光系统(Exposure System)
MDA-400M型光源功率 350W UV Exposure Light source with Power supply 分辨率 - Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )
- Hard Contact : 1um
- Soft contact : 2um
- 20um Proximity: 5um最大光束尺寸 4.25×4.25 inch 光束均匀性 ≤ ±3% (4inch standard) 光束强度 15~20mW/cm2 (365nm Intensity) 曝光时间可调整 0.1 to 999.9 sec 对准系统(Alignment System) 对准精度 1um 对准间隙 手动调节(数字显示) 光刻模式 真空, 硬接触, 软接触,渐进(Proximity) 卡盘水平调节 楔形错误补偿Wedge Error Compensation 真空卡盘移动 X, Y: 10 mm, Theta: ±5° Z向移动范围 10mm 接近调整步幅 1um 样品(Sample) 基底 Substrate 2, 3, 4 inch 掩模板尺寸 4 and 5 inch Utilities 真空 Vacuum < -200 mbar (系统包含真空泵) 压缩空气 CDA > 5Kg/cm2 氮气 N2 >3Kg/cm2 电源 Electricity 220V, 15A, 1Phase 显微镜及显示器
CCD and MonitorDual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x; 主要特点:
- 光源强度可控;
- 紫外曝光,深紫外曝光(Option);
- 系统控制:手动、半自动和全自动控制;
- 曝光模式:真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式;
- 真空吸盘范围可调;
- 专利技术:可双面对准,可双面光刻,具有IR和CCD模式
- 两个CCD显微镜系统,最大放大1000倍,显示屏直接调节,比传统目镜对准更方便快捷,易于操作。
- 特殊的基底卡盘可定做;
- 具有楔形补偿功能;