Raith 150 Two 高分辨电子束曝光系统
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德国 Raith 150 Two 高分辨电子束曝光系统

详细介绍
Raith 150 Two作为高分辨电子束曝光系统,自推出以来全 球销量不容忽视。该系统被广泛地用于研发和纳米技术中心,已证明了系统的24/7使用的稳定性。
Raith 150 Two 可实现亚5nm的曝光结构,可处理8”晶元及以下样片。
环境屏蔽罩保证了系统的热稳定性,提高设备对实验室环境的容忍度,即使在相对糟糕的实验室环境下,也能保证系统的正常稳定运行。
超高分辨曝光及成像
小于8nm曝光
低电压曝光及成像
系统自动化程度高
最 大可处理8"样片
隔墙安装 / 热稳定性
研发及小批量生产
软硬件的高自动化程度保障了小批量生产中进行简单且可重复性的曝光工作。
Raith 150 Two 高分辨的电子光学柱结合多种探测器可实现对准标记识别和过程控制中前所未有的灵活性。

Raith 150 Two 应用
· 75nmT型栅高电子迁移率晶体管器件

· HSQ胶上制作亚4.5nm线条

· 采用traxx长线条无写场拼接曝光模式制作延迟波导结构

· 5um厚胶上制作三维菲涅尔透镜阵列结构

· PMMA胶上制作精细的11nm线条

· PMMA胶上制作60nm周期光栅结构

RAITH150 Two 产品详情
主要应用:
。纳米级光刻
。高分辨成像
。低电压电子束光刻
样品台:
。完整的6“ 移动范围
。Z轴移动范围大
电子枪技术:
。Gemini
。电子
。30 kV
。Inlense二次电子探测器
。能量选择背散射二次电子探测器(选配)
独特直写模式:
。traxx长线条无写场拼接曝光模式
。periodixx周期结构无写场拼接曝光模式
报价:面议
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IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
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ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸,基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%, 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个),支持射频、直流或脉冲直流电源,最多可支持3条气体管路,支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸, 基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%,可选配电子束或热舟蒸发源(最多3个),速率控制沉积,可沉积多层薄膜,选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达12英寸或200×200毫米, 基板架加热温度最高可达800℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源(数量最多 8 个),可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积,包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求,包括OLED、OPV、OPD等。