ixion 193 SLM 准分子激光器
日本理音 RION 粒子计数器 KS-20F
PlasmaPen 德国 PVA TePla 常压等离子清洗机
德国耐弛激光法导热仪 LFA 427
德国Zeiss SEM 电子束直写仪

IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
其光谱带宽小于 80 MHz,接近其理论傅里叶极限。
该系统的中心波长可在 185 至 194 nm 范围内定制,并可在购买时预先配置为固定波长。
系统可选配集成一台绝 对光谱精度为 0.001 nm 的高 精度光谱仪。这可以最 大 程度地控制激光器的光谱调谐。




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IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸,基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%, 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个),支持射频、直流或脉冲直流电源,最多可支持3条气体管路,支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸, 基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%,可选配电子束或热舟蒸发源(最多3个),速率控制沉积,可沉积多层薄膜,选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达12英寸或200×200毫米, 基板架加热温度最高可达800℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源(数量最多 8 个),可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积,包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求,包括OLED、OPV、OPD等。
Syskey 超高真空热蒸发镀膜机UHV Thermal, • 灵活的基板尺寸可达 8 英寸• 基板支架加热至 800 °C• 优异的薄膜均匀性小于 ±3%• 船和电池源(数量最多 6 个)• 可以共蒸发和掺杂。• 用选定的目标材料沉积多层薄膜• 可与其他沉积系统集成