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德国Zeiss SEM 电子束直写仪

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详细介绍

主要功能:
利用曝光抗蚀剂,采用电子束直接曝光,可在各种衬底材料表面直写各种图形,图形结构(最小线宽为10mm),是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。广泛应用于纳米器件,光子晶体,低维半导体等前沿领域。

技术指标:
肖特基热场发射电子源
加速电压:100V~30kV
放大倍率:12X~1000,000X
SEM分辨率:1nm@30kV,1.5nm (15kV),2.8nm(1kV)
电子束曝光:10nm(20kV)
场拼接精度:<100nm
扫描频率:6MHz
​图形格式:GDSII

产品优势
利用曝光抗蚀剂,采用电子束直接曝光,可在各种衬底材料表面直写各种图形,图形结构(zui小线宽为10mm),是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。广泛应用于纳米器件,光子晶体,低维半导体等前沿领域。
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