德国Zeiss SEM 电子束直写仪

主要功能：
利用曝光抗蚀剂，采用电子束直接曝光，可在各种衬底材料表面直写各种图形，图形结构（最小线宽为10mm），是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。广泛应用于纳米器件，光子晶体，低维半导体等前沿领域。

技术指标：
肖特基热场发射电子源
加速电压：100V～30kV
放大倍率：12X～1000,000X
SEM分辨率：1nm@30kV,1.5nm (15kV),2.8nm（1kV）
电子束曝光：10nm（20kV）
场拼接精度：<100nm
扫描频率：6MHz
​图形格式：GDSII