SYSKEY超高真空磁控溅射镀膜机UHV Sputter特点

SYSKEY超高真空磁控溅射镀膜机UHV Sputter系列定位于高纯度薄膜制备、低污染和高重复性的工艺需求，广泛应用于半导体、光学、能源与表面工程等领域。该系列以超高真空基压、可扩程的磁控溅射结构、灵活的靶材配置和智能化过程控制为核心，提供从桌面型到工业级多靶组态的完整方案，能够实现金属、氧化物、氮化物、碳化物及复合涂层的高均匀性沉积。设备结合高稳定性功率源、精密气体流控、热控系统和在线监测模块，便于科研团队快速建立工艺库，支撑批量生产与长期一致性。

共性特征与核心参数

• 基压与腔体：超高真空基压常态在1×10^-9 mbar级别，沉积过程可控性强，腔体设计优化了膜厚分布均匀性。
• 靶源与磁控结构：支持单靶与多靶轮换，磁场分布可调，磁控密度与靶距可按材料特性微调，适应金属、氧化物、氮化物等多材料沉积。
• 电源系统：支持直流(DC)与射频(RF)两种供电模式，功率覆盖从低功率保护性薄膜到高沉积速率的大面积涂层。
• 气体管理：配备高精度质量流量控制器和多气路切换，兼容Ar、O2、N2、H2等惰性与活性气体，具备快速切换与混气功能。
• 膜层控制：沉积速率、膜厚均匀性和组分梯度可编程，提供薄膜厚度均匀性±2%（在圆形基底直径≤200 mm范围内的典型数值）。
• 温控与基材管理：内置基材加热/冷却通道，兼容多孔式底板与样品托架，确保热效应与应力控制在可控范围。
• 在线监测：可选EIS/EDS或表面形貌监测模块，便于过程追溯和质量控制。
• 兼容性与集成：标准化接口、模块化结构，易于与现有清洗、传输与工艺控制系统对接。
• 安全与维护：多级防真空泄漏设计、易拆卸的靶座与腔体部件、具备维护诊断与报警功能，降低故障停机时间。

型号与数据对比要点

• SK-UHV-100（桌面/小型单靶配置）

  
  

• 靶材直径/型号：50 mm单靶

  
  

• 腔体容积：0.6–1.0 L

  
  

• 基压：1×10^-9 mbar

  
  

• 沉积速率：0.2–0.5 nm/s（以金属靶Ar等惰性环境为例）

  
  

• 电源：DC/Magnetron；大输出功率：0–500 W

  
  

• 适用场景：薄膜研究、小批量涂层、教育培训

  
  

• SK-UHV-200（中型双靶/多工位）

  
  

• 靶材直径：76 mm

  
  

• 腔体容积：2.0–2.5 L

  
  

• 基压：1×10^-9 mbar

  
  

• 沉积速率：0.5–1.0 nm/s

  
  

• 电源：DC/射频混合，大输出1200 W

  
  

• 特色：两靶轮换、均匀度控制更灵活，适合氧化物、氮化物等材料的初步评估

  
  

• SK-UHV-300（大腔体/单靶高产）

  
  

• 靶材直径：127 mm

  
  

• 腔体容积：4–5 L

  
  

• 基压：1×10^-9 mbar

  
  

• 沉积速率：1.0–2.0 nm/s

  
  

• 特色：较高的膜厚上限与均匀性，适合大面积基底与多材料层状涂层

  
  

• SK-UHV-600（工业级多靶/大容量）

  
  

• 靶材直径：127–150 mm

  
  

• 腔体容积：12 L

  
  

• 基压：1×10^-9 mbar

  
  

• 沉积速率：2.0–4.0 nm/s

  
  

• 电源：多通道高功率源，支持多靶并行沉积

  
  

• 气体系统：支持O2/N2/Ar等混合气体，适合氧化物、氮化物与复合膜

  
  

• 靶材直径：150 mm及以上，支持多靶组态

  
  

• 腔体容积：20 L以上

  
  

• 基压：1×10^-9 mbar

  
  

• 沉积速率：4.0–8.0 nm/s

  
  

• 电源：多通道全数字化控制，具备在线轮换与自诊断

  
  

• 特色：集成在线分析与自动化工艺管理，适合量产级薄膜涂覆

  
  

场景化FAQ

• 问：该系列可沉积哪些薄膜材料？答：覆盖金属（如Ta、Cr、Ti等）、氧化物（如ZnO、HfO2、Al2O3等）、氮化物（如SiNx、TiN、AlN）、碳化物以及复合涂层，具体材料适配取决于靶材兼容性、气体环境与温控条件。
• 问：如何选择合适的型号？答：若是基础科研、小样品筛选，SK-UHV-100/200足以，需高沉积速率和大面积涂覆时选择SK-UHV-300至SK-UHV-900系列，考虑基底直径、产线产能与材料特性后再定制多靶配置与气体系统。
• 问：基压达到1×10^-9 mbar有何意义？答：高真空状态降低杂质进入膜层的机会，提升薄膜纯度和晶体质量，并减少在过程中的汞污染、水分与有机残留对膜层的影响。
• 问：气体选型与流量范围如何？答：惰性气体（Ar）作为主载气，活性气体（O2、N2、H2等）用于氧化、氮化或复合膜的形成。流量范围通常在0–100 sccm级别，具体以腔体体积和沉积工艺为准，系统具备快速切换与闭环控制。
• 问：如何确保薄膜厚度均匀性？答：通过磁场分布优化、靶距调节、样品托架的转动/旋转、以及温控管理实现。大腔体型号通常提供更高的厚度均匀性与重复性。
• 问：设备维护周期大概多久？答：核心部件包括靶材、腔体密封、泵系统与气路阀门，通常在180–360天进行一次全面维护，日常维护包括真空腔体的清洁、靶材更换与气路检查，厂商通常提供远程诊断与备件清单。