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SYSKEY 高真空溅射系统 HV Sputter特点

来源:深圳市蓝星宇电子科技有限公司 更新时间:2025-12-12 18:30:25 阅读量:105
导读:以紧凑的腔体结构、可扩展的靶位配置和的工艺控制为核心,支持金属、合金、陶瓷以及复合薄膜的批量制备。以下从型号、参数与关键特征出发,帮助专业用户快速对比与选型。

SYSKEY 高真空溅射系统 HV Sputter特点

SYSKEY HV Sputter系列面向科研机构、产业化工艺和电子制造领域,提供稳定的高真空沉积、优异的涂层均匀性以及灵活的多源靶材组合能力。以紧凑的腔体结构、可扩展的靶位配置和的工艺控制为核心,支持金属、合金、陶瓷以及复合薄膜的批量制备。以下从型号、参数与关键特征出发,帮助专业用户快速对比与选型。


型号与参数一览


  • HV-Sputter-100
  • 最大基板尺寸:60×60 mm
  • 基线压力:<5×10^-6 Torr
  • 真空腔源数:1
  • 最大射频/直流功率:600 W
  • 沉积速率:0.2–0.8 Å/s
  • 气体供给范围:Ar 0–50 sccm
  • 基板温度范围:室温–200 °C
  • 样品转动:可选,最高约180 rpm
  • 冷却/载荷锁:水冷设计,载荷锁可选
  • HV-Sputter-300
  • 最大基板尺寸:150×150 mm
  • 基线压力:<2×10^-6 Torr
  • 真空腔源数:2–3
  • 最大功率:1.5 kW
  • 沉积速率:0.4–1.8 Å/s
  • 气体供给范围:Ar 0–100 sccm
  • 基板温度范围:室温–350 °C
  • 样品转动:0–15 rpm
  • 冷却/载荷锁:水冷,载荷锁标准化
  • HV-Sputter-600
  • 最大基板尺寸:300×300 mm
  • 基线压力:<5×10^-7 Torr
  • 真空腔源数:4–可扩展至多源
  • 最大功率:4 kW
  • 沉积速率:0.5–2.5 Å/s
  • 气体供给范围:Ar 0–200 sccm
  • 基板温度范围:室温–450 °C
  • 样品转动:0–60 rpm
  • 冷却/载荷锁:水冷为主,支持气冷辅助
  • 备注:多靶位切换快速,适合复合膜层与批量涂布 要点总结:三档位覆盖从小样本到大面积基板、从常规金属到高要求复合膜的工艺需求,具备良好的扩展性和灵活性。

核心技术特征


  • 高真空腔体与低污染工艺
  • 严格的材料选型与密封结构,基线压力低,膜层纯净度高,确保薄膜成分和晶相稳定。
  • 多源靶材与灵活的能量控制
  • 一系三机型均可实现单源、双源或多源沉积,采用直流、射频与脉冲直流等多种放电模式,满足导电和绝缘材料的沉积需求。
  • 精密载物台与温控体系
  • 支持样品旋转、倾斜与温控,热稳定性和对位精度提升均匀性,适合厚薄膜组合工艺。
  • 集成化工艺与传感接口
  • 具备智能化工艺序列,易与膜厚计、涂层表征仪器和在线监控系统对接,便于工艺追踪与重复性验证。
  • 自动化与安全设计
  • 自动泵浦、阀门与报警联动,界面友好、诊断快速;防护设计覆盖高温、真空泄漏与气体泄漏风险。 应用场景要点
  • 微电子与MEMS器件的硬质涂层、导电薄膜与金属间化合物沉积
  • 光学元件与镜片的反射/耐磨涂层、低介电损耗膜
  • 工具涂层、模具涂层及耐磨涂层的批量生产
  • 复合膜层结构的分步沉积与层间结合研究 操作要点与维护要点
  • 启动前检查真空系统完整性、气路密封与水路循环;初始腔内排气需达到稳定基线后再进行靶材通断与沉积
  • 靶材布置与靶位分配需符合工艺路线,确保膜层厚度分布均匀
  • 定期校准膜厚计与对位系统,维护保养包括泵体油位、阀门密封与冷却水质
  • 工艺参数记录与工艺卡片化管理,有助于跨班组重复性验证与故障追溯

场景化FAQ


  • 问:HV Sputter 系统适合哪些材料的沉积?
    答:金属、金属合金、陶瓷及复合膜均可,具体参数随材料导电性、熔点和靶材性能而定,HV-Sputter-100/300/600各型号提供不同功率段和源数,可针对不同材料选择合适的靶道与电源模式。
  • 问:如何确保涂层的均匀性与厚度一致性?
    答:通过样品旋转与靶位几何布局优化,以及对温控、靶材连续性和腔内气体分布的精确控制实现。对于大面积基板,HV-Sputter-600的多源位与高转速方案可显著提升均匀性。
  • 问:是否支持在线膜厚监测与残留气体分析?
    答:可选配膜厚计、干涉式监测及离子探针等在线表征模块;气相分析可通过接入质谱/残留气体分析接口实现,帮助工艺参数的实时调整。
  • 问:不同材料的沉积速率是否可预设并重复?
    答:是的。系统提供工艺模板与参数表,记忆沉积速率、温控与气体流量等要素,跨批次重复性高,便于产线化生产。
  • 问:对高温膜层的沉积有何要求?
    答:HV-Sputter-300/600系列具备高温基板位与热管理能力,最高可实现约350–450 °C的基板温度,需结合靶材特性和冷却能力进行工艺优化。
  • 问:设备维护的常规周期是多久?
    答:日常清洁与检查、每周的真空系统与气路检修、每月的高温部件与电源滤波器检查,以及每季度的靶材更换与系统标定,均应列入维护计划。

总结 SYSKEY HV Sputter 系列以高真空、模块化靶材与工艺控制为核心能力,能够覆盖从实验室小样制备到生产型涂层的大范围应用。无论是需要单源的低成本选型,还是追求大面积高产出的复合膜层工艺,均可通过型号差异、工艺模板和选配模块实现定制化解决方案。若需要更详细的对比表、样板工艺卡片或现场评估,请联系销售与技术支持团队获取定制化方案。


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