SYSKEY紧凑式溅射系统 Compact Sputter
SYSKEY紧凑式热蒸发镀膜系统 Compact Thermal
SYSKEY 高真空溅射系统 HV Sputter
Syskey 高真空电子束镀膜系统 HV E-beam
Syskey Lift-off E-beam 电子束蒸发镀膜系统
Syskey RIE 反应离子刻蚀机
用于氧化物和氮化物蚀刻的 RIE 系统。CF4 , CJF3 、S2F6, Ar, O2气体管线可实现硅基材料刻蚀。全自动作,支持一键工序。

配置和优势:
• 灵活的基板尺寸可达 12 英寸
• 基板支架水冷
• 优异的薄膜均匀性,低于 ±5%
• 6 条反应性气体管路,适用于 蚀刻
• 使用选定的靶材蚀刻多层薄膜
• 负载锁定是可选的
• 终点检测器是可选的
• 背氦冷却是可选的系统键

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已咨询111次Syskey 台湾
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已咨询1073次RIE反应离子刻蚀系统
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已咨询1048次反应离子刻蚀
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已咨询2589次英国Oxford 离子刻蚀/沉积/去胶机
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已咨询107次Syskey 台湾
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已咨询75次Syskey 台湾
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已咨询187次等离子设备
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已咨询944次德国 Sentech
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸,基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%, 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个),支持射频、直流或脉冲直流电源,最多可支持3条气体管路,支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸, 基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%,可选配电子束或热舟蒸发源(最多3个),速率控制沉积,可沉积多层薄膜,选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达12英寸或200×200毫米, 基板架加热温度最高可达800℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源(数量最多 8 个),可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积,包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求,包括OLED、OPV、OPD等。