日本RION气体粒子计数器：KC-32 ( 光散射法）
光源：镭射二极管（波长780nm，额定输出100mW)
流量：50L/min
测试粒径（6个通道）：≥0.3μm， ≥0.5μm ， ≥1μm ， ≥2μm， ≥5μm, ≥10μm
最 大粒子数浓度：16000000颗/L （误差值低于10%）
采样管直径：外径：φ16mm, 内径：φ12mm
电源：锂电池或AC充电器，100V - 240V AC, 50/60Hz
尺寸和重量：约：H203*W260*D266 (mm), 突出部份除外，约重5.5kg，内置一块电池
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IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统，适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统，适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter，灵活的基板尺寸，最大可达6英寸，基板架加热温度最高可达500℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%， 最多可配备5个6英寸磁控溅射源（可选配3或4个），支持射频、直流或脉冲直流电源，最多可支持3条气体管路，支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ，灵活的基板尺寸，最大可达6英寸， 基板架加热温度最高可达500℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%，可选配电子束或热舟蒸发源（最多3个），速率控制沉积，可沉积多层薄膜，选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter，灵活的基板尺寸，最大可达12英寸或200×200毫米， 基板架加热温度最高可达800℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源（数量最多 8 个），可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积，包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求，包括OLED、OPV、OPD等。
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