SYSKEY紧凑式溅射系统 Compact Sputter
SYSKEY紧凑式热蒸发镀膜系统 Compact Thermal
SYSKEY 高真空溅射系统 HV Sputter
Syskey 高真空电子束镀膜系统 HV E-beam
Syskey Lift-off E-beam 电子束蒸发镀膜系统

Syskey 等离子增强原子沉积 PEALD
用于超薄氧化物和氮化物涂层的 ALD 和 PEALD 系统。6 前体线路可支持5种材料沉积,气体管路拓宽反应窗户。紧凑的手套箱集成不占用额外的实验室空间。

配置和优势:
• 灵活的基板尺寸可达 12 英寸
• 基板支架加热至 400 °C
• 优 异的薄膜均匀性,小于 ±2%
• 6 条前驱体管线和可选的反应气体管线
• 冷却或加热前驱体罐
• 用选定的目标材料沉积多层薄膜
• 等离子和热模式在一个系统中兼容。
- 可与手套箱集成

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已咨询94次Syskey 台湾
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IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
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ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸,基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%, 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个),支持射频、直流或脉冲直流电源,最多可支持3条气体管路,支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸, 基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%,可选配电子束或热舟蒸发源(最多3个),速率控制沉积,可沉积多层薄膜,选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达12英寸或200×200毫米, 基板架加热温度最高可达800℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源(数量最多 8 个),可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积,包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求,包括OLED、OPV、OPD等。