Syskey 的PEALD(等离子增强原子沉积)在传统ALD的基础上引入等离子体活化,使沉积在较低温度下也能获得致密、均匀的薄膜,广泛应用于芯片后道封装、MEMS、传感器和工业涂层等领域。本篇聚焦Syskey PEALD系列的核心特征、典型参数和型号对比,配合场景化应用要点,便于实验室与工业现场的选型与工艺设计。
型号特征与参数一览
SK-PEALD-100
适用尺寸与结构:200 mm晶圆平台,带加载锁和标准腔体,支持两路前驱体
等离子体系与功率:远程等离子,O2/Ar混合,等离子功率100–300 W
基板温度窗口:室温至 350 °C
循环沉积速率:0.8–1.2 Å/循环(以Al2O3为典型)
均匀性与覆盖:在200 mm上均匀性常见为±1.5%以内
适用材料与工艺特征:Al2O3、TiO2、HfO2等氧化物,适合低温封装与界面工程
SK-PEALD-200
适用尺寸与结构:300 mm晶圆平台,支持多路前驱体输送
等离子体系与功率:远程等离子,O2/Ar混合,功率150–500 W
基板温度窗口:25–400 °C
循环沉积速率:1.0–1.6 Å/循环,适合常见氧化物或氮化物材料
前驱体与气路:3路前驱体系统,灵活切换
均匀性与覆盖:均匀性≤±1.0%范围,适合大面积薄膜 requisite
SK-PEALD-300
适用尺寸与结构:300 mm高端平台,支持多路并行前驱体与内置清洗
等离子体系与功率:可切换高/低功率模式,功率200–600 W
基板温度窗口:25–450 °C
循环沉积速率:1.5–2.2 Å/循环,针对高生长氧化物有明显提升
特色功能:3路前驱体、内置近场清洁、可编程偏置控制
均匀性与覆盖:在300 mm上通常控制在±0.8–±1.2%
应用要点与选型建议
场景化FAQ 1) 需要沉积高介电常数薄膜时,应该选哪一型号?
2) 对于高纵深比结构,PEALD的覆盖性如何保障?
3) 如何结合不同前驱体实现多材料沉积?
4) 与传统化学气相沉积(CVD)相比,PEALD的优势是什么?
5) 常见故障与排除要点?
6) 如何开展工艺优化与工艺库管理?
总结 Syskey PEALD 系列以灵活的前驱体配置、可选的远程等离子活化和宽温度窗口,提供从基础薄膜到高性能界面工程的全方位解决方案。无论是在实验室快速建立沉积模型,还是在工业场景实现稳定产线涂层,其三款主流型号在覆盖范围、沉积速率与均匀性方面各有侧重,用户可依据基板尺寸、材料体系与工艺要求进行针对性选型与工艺验证。若你正在规划新材料体系或需要对现有薄膜进行升级,Syskey PEALD 系列具备较强的适应性与扩展能力。
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