原子层沉积系统百科

● 样品类型：粉体样品，旗形样品，其他样品类型可定制 ● 可与超高真空XPS，STM，及其他UHV系统互联 ● 腔体最高加热400℃，控温精度±1℃ ● 复杂管气路，可最多具备八种前驱体、两路氧化还原气路和三路载气 ● 设计独特的高温鼓泡器，可提高低蒸气压固态源反应效率和重复性 ● 自动化控制系统，可自行编程实现不同类型ALD样品生长 ● 控制系统带安全互锁报警功能 ● 采用PID自动控温，带模糊算法自整定 ● 全金属密封，适用于腐蚀性反应 ● 实时测控气体流量和监测真空度 ● 在线原位分析气体成分 ● 自带臭氧发生器，反应残留物热分解装置

原子层沉积（Atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。

应用领域 原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。该技术应用的主要领域包括： 1） 晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate） 2） 微电子机械系统（MEMS） 3） 光电子材料和器件 4） 集成电路互连线扩散阻挡层 5） 平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED） 6） 互连线势垒层 7） 互连线铜电镀沉积籽晶层（Seed layer） 8） DRAM、MRAM介电层 9） 嵌入式电容 10） 电磁记录磁头 11） 各类薄膜（<100nm）

应用领域 原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。该技术应用的主要领域包括： 1） 晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate） 2） 微电子机械系统（MEMS） 3） 光电子材料和器件 4） 集成电路互连线扩散阻挡层 5） 平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED） 6） 互连线势垒层 7） 互连线铜电镀沉积籽晶层（Seed layer） 8） DRAM、MRAM介电层 9） 嵌入式电容 10） 电磁记录磁头 11） 各类薄膜（<100nm）

应用领域 原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。该技术应用的主要领域包括： 1） 晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate） 2） 微电子机械系统（MEMS） 3） 光电子材料和器件 4） 集成电路互连线扩散阻挡层 5） 平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED） 6） 互连线势垒层 7） 互连线铜电镀沉积籽晶层（Seed layer） 8） DRAM、MRAM介电层 9） 嵌入式电容 10） 电磁记录磁头 11） 各类薄膜（<100nm）

应用领域 原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。该技术应用的主要领域包括： 1） 晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate） 2） 微电子机械系统（MEMS） 3） 光电子材料和器件 4） 集成电路互连线扩散阻挡层 5） 平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED） 6） 互连线势垒层 7） 互连线铜电镀沉积籽晶层（Seed layer） 8） DRAM、MRAM介电层 9） 嵌入式电容 10） 电磁记录磁头 11） 各类薄膜（<100nm）

应用领域 原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。该技术应用的主要领域包括： 1） 晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate） 2） 微电子机械系统（MEMS） 3） 光电子材料和器件 4） 集成电路互连线扩散阻挡层 5） 平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED） 6） 互连线势垒层 7） 互连线铜电镀沉积籽晶层（Seed layer） 8） DRAM、MRAM介电层 9） 嵌入式电容 10） 电磁记录磁头 11） 各类薄膜（<100nm）

NLD-3000原子层沉积系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。