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仪器动态 | Exploiter热法原子层沉积(T-ALD)系统

来源:北京正通远恒科技有限公司 更新时间:2025-10-30 15:15:20 阅读量:50
导读:热法原子层沉积(T-ALD)是一种新型的薄膜沉积技术,以精确控制的方式沉积数纳米厚度的薄膜,具有优异的均匀性和原子级控制能力。在半导体器件、光电子器件、能源技术等领域有广泛应用。

















热法原子层沉积(Thermal Atomic Layer Deposition,T-ALD)是一种新型的薄膜沉积技术,通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器,在基片表面进行自限制式化学吸附,形成单原子层沉积膜。

T-ALD技术允许以精确控制的方式沉积数纳米厚度的薄膜,具有优异的均匀性和原子级控制能力根据最新趋势,热原子层沉积的材料数量已达到539种,在半导体器件、光电子器件、能源技术等领域有广泛应用。


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热法原子层沉积(T-ALD)技术在多个领域展现出广泛的应用潜力:

  • 半导体制造

T-ALD可用于制备栅介质层和其他功能性涂层,为高性能芯片的制造提供关键支持。

  • 光电器件

T-ALD技术可用于在太阳能电池组件生产中,提升太阳能电池的转化效率。
  • 新型材料研发
T-ALD技术可以用于制备超薄阻挡层材料,优化存储性能,推动新型电池的研发。
热法原子层沉积系统(T-ALD)

Thermal


设备规格


  • 工艺温度:温度范围:RT~500°C
  • 前驱体路数:最大支持6路前驱体气路(可定制),包含固、液态前驱体源瓶
  • 加热系统:可加热温度范围:RT~150℃
  • 反应物路数:支持2路反应物气路(可定制)
  • 载气:标准:N2, MFC流量控制(可定制)
  • 压力监测:三薄膜规组合(耐腐蚀),0.005Torr - 1000Torr
  • 本底真空度:<5x10-3Torr
  • 真空系统:标准油泵
  • 高温加热模块:独立的源瓶加热模块,可支持RT~200℃
  • 预留模块:预留等离子体系统接口,无需更换腔体即可直接升级至等离子体系统(PEALD),实现T-ALD与PEALD的双模式切换




机架Cabinet


  • 框架采用进口铝材搭建,重量轻、承载能力强,散热性好

  • 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理,轻便美观,拆卸方便,符合人体工学

  • 显示屏360度自由旋转,可调视距、视角、自由悬停



控制系统


  • 控制系统采用PLC+工控机+19寸触摸屏方式实现,通过高速以太网进行通讯。

  • 采用PLC对设备进行实时控制,同时实现基于Windows 7操作系统的人机界面互动,支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能

  • 设备支持“一键沉积”功能,点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积;提供独立的手动操作页面,支持手动开关阀门的操作,人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方

  • 设备运行软件提供用户权限管理功能,可根据用户级别设定使用权限,防止误操作,保证设备和人身安全

  • 设备运行软件提供逻辑互锁功能,防止误操作,并弹出信息对话框进行提示

  • 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能



真空系统


  • 真空测量采用双真空压力计组合方式,工艺数据更真实,更迅速,更精确,为工艺的可重复性提供了可靠的保障








【END】



       电话:010-64415767 | 010-64448295

       邮箱:info@honoprof.com

       地址:北京市朝阳区胜古中路2号院6号楼210室


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