德国Sentech ICP-RIE等离子蚀刻机 SI 500
德国 Sentech 多晶圆等离子刻蚀机 SI 500-300
德国Sentech 等离子刻蚀机 SI 500 RIE
德国Sentech 低温等离子蚀刻机 SI 500 C
德国Sentech 反应离子刻蚀机 Etchlab 200
德国 Sentech SI 500 PPD等离子沉积机

过程的灵活性
PECVD沉积工具SI 500 PPD的使用方便沉淀SiO2、SiNx、SiOxNy的标准工艺,a- si在室温到350℃之间。
真空loadlock SI 500 PPD的特点是真空加载锁定和干燥. 抽油机适用于无油、高产量和沉积过程的清洁度。
SENTECH控制软件
用户友好的强大软件包括模拟GUI、参数窗口、食谱编辑器、数据日志和用户管理。
SI 500 PPD是一种先进的等离子体增强化学气相沉积介质薄膜的工具,硅、碳化硅和其他材料。它是基于平面电容耦合等离子体源,真空加载锁定,
控温基片电极,可选配低频混频,全控无油真空系统采用先进的森泰克控制软件,采用远程现场总线技术,具有非常友好的通用用户界面用于操作SI 500 PPD的用户界面。
从直径200毫米的晶圆片到装载在载体上的各种基板,都可以在SI 500 PPD等离子体沉积仪。单片【真空负荷锁定】保证了稳定的工艺条件和可以方便地切换进程。
SI 500 PPD等离子体增强沉积工具被配置成在a中沉积SiO2、SiNx、SiONx和a- SI薄膜
温度范围从室温到350℃。解决方案可用于TEOS, SiC,以及其他具有液态或气态前体的物质。SI 500 PPD适用于介质的沉积用于蚀刻掩膜、薄膜、钝化膜、波导等的薄膜和非晶态硅。
SENTECH提供不同水平的自动化,从真空盒加载到一个过程室到六个端口集群,不同的沉积和蚀刻模块,以高灵活性或高吞吐量为目标。SI 500 PPD也可以作为集群配置上的进程模块。
PECVD SI 500 PPD
PECVD等离子体沉积工具与真空loadlock
高达200毫米晶圆
衬底温度从RT到350℃
低应力薄膜可选低频混频
TEOS和其他液体前驱体的来源
干式抽油机
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报价:¥5000000
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IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
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ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸,基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%, 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个),支持射频、直流或脉冲直流电源,最多可支持3条气体管路,支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸, 基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%,可选配电子束或热舟蒸发源(最多3个),速率控制沉积,可沉积多层薄膜,选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达12英寸或200×200毫米, 基板架加热温度最高可达800℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源(数量最多 8 个),可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积,包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求,包括OLED、OPV、OPD等。