美国 Harrick PDC-002 扩展型等离子清洗机 美国 Harrick PDC-002 扩展
美国 Harrick PDC-32G-2 基本型等离子清洗机
PlasmaPen 德国 PVA TePla 常压等离子清洗机
IoN 40 德国 PVA TePla 等离子清洗机
IoN 100 WB德国 PVA TePla 等离子清洗机
德国 PVA TePla等离子清洗系统80 Plus HS, GIGA690,10N Optimus100,80 Plus
PVA是历史悠久的德国高科技上市公司,在等离子体、真空系统、晶体生长等领域占据世界领xian地位;PVA TePla是PVA的一个部门,专业制造等离子清洗机,广泛应用于电子,塑料,橡胶,玻璃等各种材料清洗及表面处理。作为生产等离子体处理设备的专家,PVA TePla可为半导体行业提供等离子体清洗设备和服务
独有的微波等离子(化学)清洗方式
有别于传统的射频等离子(物理)清洗方式,微波等离子清洗可以清洗到样品的每一个部位,实现清洗过程的自由基不会被障碍物所阻挡,并且不会改变表面的粗糙度。随着封装技术的进步,在倒装和叠晶片等封装中,射频等离子清洗并不能达到工艺要求,微波等离子清洗的特点和优势使得更多用户的选择和使用PVA TePla。
等离子清洗在倒装芯片封装技术的已成为必须的过程, 提高产量。先进的倒装芯片设备在业界获得显着性,在穿透分钟的差距的模具下,微波等离子体过程是无与伦比的。根据不同模具的体积,所有表面均可被完全激活和控调。PVA TePla 的微波等离子体一向可执行,无空隙的倒装芯片底部填充胶,**的附着力和显着增强的吸湿排汗速度。适合程度的应用远远超出了芯片尺寸20x20mm和50μm以下的bumps。

PVA TePla等离子清洗系统在半导体的应用:
Ø 射频等离子在IC封装的应用

Ø 微波等离子在倒装芯片(Flip chip)工艺的应用

80 Plus HS微波等离子系统
是PVA TePla在微晶片封装方面提供的半导体业改革。
80 Plus High Speed (HS)正在申请ZG,对比与其他框架和基板片式处理等离子系统,该设备是世界上**一个单腔体支持片尺寸转换,运输和处理并提升了3倍UPH的设备。该系统针对大批量的芯片制造商在引线键合前、塑封前、倒装片底部填充前等应用中提升收率和可靠性。
产量方面的业界新标准:
• 高效率
• 支持 100x300mm 框架
• 最高UPH达到900 strips/Hr

PVA TePla 其它等离子清洗系统产品:

除半导体外的其它应用:
生命科学 (LIFE SCIENCE)
气体等离子体(Gas Plasma)技术常用在精密清洗和激活,去污的表面,促进功能的生物分子的粘附和结合特定的化学蒸气灭菌的生物体内和体外的医疗设备。

电子 (ELECTRONICS)
等离子用于在电子工业中各种各样的应用程序,包括从密封剂和粘合剂的粘合促进,提高释放光盘母版压模上的物质。

工业等离子体应用 (INDUSTRIAL PLASMA APPLICATIONS)
PVA TePla 是微波等离子体处理用于制造微芯片、MEMS器件、光伏电池、平板显示器和探测器,和大多数工业应用的市场。
• 增进附着力(ADHESION PROMOTION)
• 重要的清洁(CRITICAL CLEANING)

IoN 100 等离子体系统
IoN 100 是专为满足广大客户不断变化的需求而设计,它强调多功能性和控制他们的表面处理需求。其功能提供zuixianjin的过程控制状态,故障安全系统报警和数据采集软件。这使系统在生命科学产业,以满足严格的质量控制程序。

气体等离子体系统 - 等离子体笔
Atmospheric Plasma System - Plasma Pen
• 生命科学与医疗器械产品
• 汽车、航天、航海方面
• 芯片级器件
• 电子产品包装
• 平板显示器
• 电线、电缆、光纤
• 玻璃制造

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已咨询2095次等离子清洗设备
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IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸,基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%, 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个),支持射频、直流或脉冲直流电源,最多可支持3条气体管路,支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸, 基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%,可选配电子束或热舟蒸发源(最多3个),速率控制沉积,可沉积多层薄膜,选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达12英寸或200×200毫米, 基板架加热温度最高可达800℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源(数量最多 8 个),可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积,包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求,包括OLED、OPV、OPD等。