IoN Wave 10E 德国 PVA TePla 等离子去胶机
德国 PVA TePla 等离子去胶机 IoN 100WB-40Q
等离子去胶机
等离子去胶机
日本Samco紫外臭氧清洗机 UV-1
德国 PVA TePla 等离子去胶机
型号:IoN 100WB-40Q等离子去胶机
IoN 100WB-40Q是我们zuixin推出的具有高性价比的真空等离子去胶设备。它来源于IoN 100-40Q,IoN 100WB-40Q延续了同样的高品质保障,包括可选压力控制器、光谱终点检测器等丰富配置选择。
IoN 100WB-40Q配备了一个圆筒石英腔,特别适用于半导体、LED、MEMS等领域的光刻胶灰化、打残胶、氮化物刻蚀、表面清洁等应用的批次处理。
IoN 100 WB旨在满足客户的生产需求,着重于表面处理的多功能性和可控性。其先进的性能提供了出色的工艺控制、失效报警系统和数据采集软件。这使得该设备可满足半导体、LED、MEMS等领域严格的程序控制要求。IoN 100 WB结构紧凑,集成度高,采用射频(RF)频率激发等离子体。
先进的功能特性:
● 低微粒石英腔体
● 触摸屏操作,图形用户界面(GUI)
● 使用Windows系统的工业计算机控制
● 工艺员、操作元、维护员访问权限控制
● 自诊断功能和警报记录功能,联网在线诊断功能
● 以太网远程控制功能
● 工艺编辑软件提供了快速灵活的步骤控制功能
● 可隔墙安装
● 可选配光谱终点检测功能
规格参数
工作腔室材料 石英
腔门材质 铝(标配)
腔体尺寸 直径304 mm,深508mm
最大可处理晶圆尺寸 8”
最大处理量 50片6”
装料方式 手动
工艺气体
质量流量控制计 最多至6路气体
工艺压力 200-2000 mTorr(取决于真空泵和气体流量)
抽真空时间 大约1分钟 (取决于真空泵)
射频电源 风冷13.56MHz,600 瓦(标准配置)
供给需求电源 220V 单相, 50Hz
工艺气体 输入压力 1-2 bar
吹扫气体 输入压力 1-2 bar
压缩空气 输入压力 4-6 bar
机体
● 独立的机体带有所有电源和气体接口
● 带有旋转垫脚的可转动机身
设备尺寸
标准尺寸 1067 x 737 x 1524 mm(宽/高/深,不含泵)
重量 约204千克(不含泵)
可选项
● 压力控制器
● 1%精度的真空规
● 石英腔门
● 指示灯柱
● 条形码阅读器
● 工艺气体切换器
● 光谱终点检测器
● 耐腐蚀性气体的MFC
● 1000 瓦13.56 MHz射频发生器
● 真空泵(油泵或干泵)
报价:面议
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IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
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ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸,基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%, 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个),支持射频、直流或脉冲直流电源,最多可支持3条气体管路,支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸, 基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%,可选配电子束或热舟蒸发源(最多3个),速率控制沉积,可沉积多层薄膜,选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达12英寸或200×200毫米, 基板架加热温度最高可达800℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源(数量最多 8 个),可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积,包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求,包括OLED、OPV、OPD等。