IoN Wave 10E 德国 PVA TePla 等离子去胶机
德国 PVA TePla 等离子去胶机 IoN 100WB-40Q
等离子去胶机
等离子去胶机
日本Samco紫外臭氧清洗机 UV-1
德国 PVA TePla 等离子去胶机
型号:IoN Wave 10E等离子去胶机

IoN Wave 10E等离子去胶机是我们在微波等离子处理工艺中的zuixin产品。该批次式晶圆灰化设备成本低廉、尺寸适中、性能先进,特别适用于工厂、科研院所等领域。
IoN Wave 10E使用zuixin的、性能出色的组件和软件,可对工艺参数进行精确控制。它的工艺监测和数据采集软件可实现最严格的质量控制。该技术已经成功的应用于功率晶体管、模拟器件、传感器、光学器件、光电、MEMS/MOEMS、生物器件、LED等领域。
IoN Wave 10E占地面积很小,安装和维护简单。依靠微波等离子技术,该设备在提供极高的光刻胶灰化速度的同时,大程度的降低了产品暴露在静电放电(ESD)中。
先进的功能性:
。台式设计,占地面积小
。石英腔室最大可容纳8寸的晶圆,最多同时装载25片6寸晶圆
。使用Windows操作系统的工业计算机控制
。符合Semi E95-1101要求的图形用户界面(GUI)
。软件提供了不同的用户访问权限:操作员、工艺编写、维护
。通过以太网进行远程工艺监测
。机载诊断功能和报警记录
。工艺编辑软件提供了快速灵活的步骤控制功能
。液晶触摸屏(LCD)操作面板
。基于在线网络的模拟、培训和支持程序
。安装简单快捷
典型应用
。 去除光刻胶
。 晶圆打胶
。湿法刻蚀前的晶圆清洁
。去除SU-8
。 刻蚀钝化层
。失效分析中的器件开封
。 清洁和表面活化
。化学微量分析中的低温材料灰化
。 过滤器和滤膜的清洁
规格参数
工作腔室
材质 石英
尺寸 248mm直径 x 397 mm长
腔门处直径 241mm
容积 19.2 升
工艺气体控制 最多至6路气体,MFC控制
基础压力 0.07 mbar (50 mTorr)
工艺压力 0.5 – 1.5 mbar (375 – 1125 mTorr)
抽真空时间 大约1分钟
微波发生器
频率 2.45 GHz
输出功率 最大1200W
供给需求
电源 220V,50 Hz,单相
工艺气体 输入压力1-2 Bar
压缩空气 4-6 Bar,流速最高 56 升/分钟 (间歇式)
吹扫气体 1.3-2.7 Bar,流速最高 28 升/分钟 (间歇式)
尺寸 宽/高/深 775 x 749 x 781 mm
重量 135 千克
可选配置
。 推拉门
。 石英舟支撑杆
。温控板
。 1%精度的真空规
。 压力控制器
。指示灯柱
。 条形码阅读器
。 工艺气体切换器
。 光谱终点检测器
。 法拉第桶(次级等离子体)
。陶瓷腔室,耐化学腐蚀密封圈
。 打印机
。 油泵或干泵
报价:面议
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IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
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Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸,基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%, 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个),支持射频、直流或脉冲直流电源,最多可支持3条气体管路,支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸, 基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%,可选配电子束或热舟蒸发源(最多3个),速率控制沉积,可沉积多层薄膜,选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达12英寸或200×200毫米, 基板架加热温度最高可达800℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源(数量最多 8 个),可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积,包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求,包括OLED、OPV、OPD等。