三维光刻机的性能指标

      三维光刻（Mask Aligner）是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；另一种是利用类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。高端光刻机被称为“现代光学工业之花”，制造难度很大，全世界只有少数几家公司能制造。

       三维光刻机生产集成电路的简要步骤： 

       1.利用模版去除晶圆表面的保护膜。 

       2.将晶圆浸泡在腐化剂中，失去保护膜的部分被腐蚀掉后形成电路。

       3.用纯水洗净残留在晶圆表面的杂质。

       4.其中曝光机就是利用紫外线通过模版去除晶圆表面的保护膜的设备。

       5.一片晶圆可以制作数十个集成电路，根据模版曝光机分为两种：

       6.模版和晶圆大小一样，模版不动。

       7.模版和集成电路大小一样，模版随曝光机聚焦部分移动。

       8.其中模版随曝光机移动的方式，模版相对曝光机中心位置不变，始终利用聚焦镜头中心部分能得到更高的精度。成为的主流。

       三维光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。

       分辨率是对 三维光刻工艺加工可以达到的Z细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。

　　对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。

　　曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。

　　曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。