超低电压柔性有机场效应晶体管(OFET)

西南大学雷衍连研究团队利用刮刀涂布工艺的制备厚交联聚乙烯醇 (c-PVA) 电介质，实现了可大规模制备的超低电压柔性有 机场效应晶体管(OFET)的设计。这种刮刀涂布工艺制备的厚c-PVA介电膜能够抑制器件泄漏，使高性能的OTFT具有超低工作 电压(1 V)、接近10 cm2 /V·s的高场效应迁移率和优异的亚阈值摆幅(100mv / 10年)的基准电学性能。此外，使用刮刀涂布制备 c-PVA栅极介质的OFET表现出优异的机械应力稳定性，在2小时静态弯曲或103次弯曲循环后，其性能下降最小。这些结果将有 助于实现用于各种有机电子产品的高性能、低电压柔性 OFET 的简单低成本制造工艺。 

此工作以“Enabling Scalable, Ultralow-Voltage Flexible Organic Field-Effect Transistors via Blade-Coated Cross-Linked  Thick Polyvinyl Alcohol Gate Dielectric”为题目发表在《IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES》。