《文章投稿》用于增强光电化学脱盐的CeO2/BiVO4/MoO3三相异质结构光阳极
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图1 三相异质结制备工艺
以Mo板为基底，合成BiVO4层，然后通过化学浴沉积法，将CeO2纳米颗粒沉积到BiVO4/MoO3电极上，最终形成CeO2/BiVO4/MoO3三相异质结构光阳极。通过该方法制备的光阳极显示出一步形成的BiVO4/MoO3结构，其表面具有均匀分布的CeO2催化剂。双II型异质结构促进了光生电子-空穴对的有效分离，并增强了与电解质的接触，从而实现了卓越的电荷载流子分离和传输。
图2 (a-b) 脱盐器件直观图
图3 三相异质结的（a）XRD和（b-d）扫描电镜图片
图4 （a）三相异质结的XPS总谱（b）Ce 3d和（c）Mo 3d；（c）BiVO4/MoO3电极和BiVO4/FTO电极的Bi 4f谱图。
图5（a-b）BiVO4/MoO3电极的原位XPS谱图；（c）DMPO-OH·的EPR谱图；（d）OH·累积实验。
图6（a）不同制备条件的三相异质结的脱盐性能；（b）BC-2样品的循环性能。
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