图1 三相异质结制备工艺
以Mo板为基底,合成BiVO4层,然后通过化学浴沉积法,将CeO2纳米颗粒沉积到BiVO4/MoO3电极上,最终形成CeO2/BiVO4/MoO3三相异质结构光阳极。通过该方法制备的光阳极显示出一步形成的BiVO4/MoO3结构,其表面具有均匀分布的CeO2催化剂。双II型异质结构促进了光生电子-空穴对的有效分离,并增强了与电解质的接触,从而实现了卓越的电荷载流子分离和传输。
图2 (a-b) 脱盐器件直观图
图3 三相异质结的(a)XRD和(b-d)扫描电镜图片
图4 (a)三相异质结的XPS总谱(b)Ce 3d和(c)Mo 3d;(c)BiVO4/MoO3电极和BiVO4/FTO电极的Bi 4f谱图。
图5(a-b)BiVO4/MoO3电极的原位XPS谱图;(c)DMPO-OH·的EPR谱图;(d)OH·累积实验。
图6(a)不同制备条件的三相异质结的脱盐性能;(b)BC-2样品的循环性能。
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