引言
随着晶体管节点技术的发展，薄膜厚度越来越薄。比如高-栅介电薄膜HfO2的厚度往往小于2nm。在该技术节点的a20范围内。超薄膜的均匀性是制备Hf基栅氧化物的主要工艺难题之一。为了控制超薄HfO2薄膜的厚度和密度，XRR是比较有效的测量技术。
实例 HfO2/Si薄膜
HfO2/Si超薄薄膜XRR图谱及拟合曲线。
表一 XRR拟合结果
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