保护膜粘性失控有救了！低场核磁技术测试软硬段实现快速定量评价！

低场核磁共振（LF-NMR）技术通过检测材料中氢质子的弛豫行为，能够高效、非破坏性地表征材料的软硬段结构。

一般来说，软段链中的氢质子T2弛豫时间长，硬段链中的氢质子T2弛豫短，软段链含量越高，高分子材料柔软度和弹性能力就越好，硬段链含量越高，高分子材料会具有更高的张力、抗撕裂性和耐磨性。

软硬段的表征为材料设计、工艺优化和质量控制提供快速、定量、非破坏性的分析手段。

保护膜是一种广泛应用于电子设备、工业产品、汽车和家具等领域的功能性材料，在物理防护、防油防指纹、隔热防爆及耐酸耐腐蚀等方面发挥着重要作用。

在实际应用中，保护膜的软硬需要严格控制：如果材料过于柔软，随着时间推移或高温的影响，可能会导致粘着力上升，从而引发剥离困难或残留物等问题；而如果材料过硬，则可能无法与表面充分粘连，影响其保护效果。目前，研发人员或者生产质控人员主要通过在不同温度下测试膜材料的力学性能或流变特性来评估其性能。然而，这一过程耗时较长，影响了研发效率和生产效率。

日本积水化学公司针对这一问题，采用变温低场核磁共振设备对材料的软硬段进行了详细分析。研究发现，在60℃条件下，通过LF-NMR检测到材料中软段组分含量不超过10%，弛豫时间为25-80毫秒；而在25℃条件下，软段组分含量为30%-65%，弛豫时间为0.2-0.4毫秒。基于这些特性，该表面保护膜表现出较高的初始粘合力，在施加于被粘物后，粘合力不会随时间推移或在高温下增加，并且能够从被粘物上轻松移除而不留下粘合残留物。

低场核磁共振技术能够在不同温度条件下对材料的软硬特性进行精确评价，为保护膜的研发和生产质控提供了重要的指导依据。

研磨垫广泛应用于光学材料、半导体元件及硬盘用玻璃基板的研磨工艺中，尤其适用于对半导体晶片上形成的氧化物层、金属层等进行精密研磨。

在实际应用中，研磨垫的硬度需要严格控制：如果研磨垫过硬，可能无法有效消除被研磨物表面的微小凹凸；而如果研磨垫过软，则会导致研磨层耐磨性差、研磨垫寿命缩短以及研磨速率不足。而目前对于抛光垫的软硬缺乏科学便捷的表征手段。

日本富士纺控公司针对这一问题，采用变温低场核磁共振（LF-NMR）设备对材料的软硬段进行了详细分析。研究发现，在40℃和80℃下软段的含量比例处于规定范围内时，可以获得具有优异抗划伤性能和研磨性能抛光垫。