图1：GaN样品的透射电子显微镜（TEM）图像显示存在缺陷。

2、X射线衍射（XRD）：其受到探针尺寸（50微米）限制较大，只能探测缺陷的集合体。此外，该技术不适用于低缺陷密度的情况（因为此时其灵敏度会下降）。

3、原子力显微镜（AFM）：它能够以极高的分辨率对大面积区域进行扫描。然而，AFM测量通常耗时较长，并且只能探测到隐藏的缺陷。

随着科技的发展，Cathodoluminescence（CL）显微镜通过将小探针尺寸与大视场相结合克服了这些局限性。Attolight SEM-CL设备具有独特的特性，使得在光电器件中进行缺陷成像和计数变得经济高效且更为精确（见图2）。

图2：GaN样品CL图像（与图1所用样品相同），缺陷为暗斑。黄色圆点指示的是由Attolight检测到的缺陷。

相较于上述三种检测光电子器件中缺陷密度的设备和技术，Attolight SEM-CL还具有以下优势：

• 其探针尺寸极小（小至3纳米），从而实现了极高的空间分辨率。
  
• 可检测的缺陷密度越高，其上限仅取决于载流子的扩散长度。
• 其广阔的视野（可达300米）使得能够在不降低空间分辨率的情况下对大片区域进行检查。如此一来，极低的缺陷密度也能被检测出来。
• 此外，缺陷的不均匀分布也能直接被观察到。其优化的光收集效率和自动对齐设计使得缺陷密度测量时间缩短至几分钟即可完成。
  
• 其独特的触摸屏界面便于用户操作。无需样品制备，非专业人员也能进行缺陷密度测量。 
  
• 由Attolight开发的专有软件能够实现快速且可靠的自动化缺陷计数（见图3）。

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