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Hakuto离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻KDP晶体
发布:伯东企业(上海)有限公司浏览次数:167某厂商研发部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体进行抛光加工, 用以消除单点金刚石车削(SPDT)后 KDP 晶体表面留下的周期性小尺度波纹.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:
Ф4 inch X 6片
基板尺寸
< Ф3 inch X 8片
< Ф4 inch X 6片
< Ф8 inch X 1片样品台
样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转
离子源
20cm 考夫曼离子源
均匀性
±5% for 8”Ф
硅片蚀刻率
20 nm/min
温度
<100
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图:
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
离子源型号
RFICP 220
Discharge
RFICP 射频
离子束流
>800 mA
离子动能
100-1200 V
栅极直径
20 cm Φ
离子束
聚焦
流量
10-40 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
长度
30 cm
直径
41 cm
中和器
LFN 2000
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现样品均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高样品的加工质量.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 配套的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700.
通过采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 刻蚀后, 单点金刚石车削后的表面由初始的6.54nm RMS, 经过 1.76nm RMS 的平坦化层, 最/终刻蚀转移到 KDP 晶体表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面.
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