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射频离子源RFICP 220用于ZAO透明导电薄膜及性能研究
发布:伯东企业(上海)有限公司浏览次数:59某实验室运用直流磁控溅射法, 采用 ZAO 陶瓷靶材, 结合正交试验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数, 在普通玻璃衬底上制备得到ZnO: Al(ZAO)透明导电薄膜.
试验设备:
伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 220 进行溅射, 选用 ZAO 陶瓷靶, 基片为普通玻璃, 普发 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.
工艺要求:
靶与基片距离为5cm, 溅射时间为30 min
伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 220 技术参数:
离子源型号
RFICP 220
Discharge
RFICP 射频
离子束流
>800 mA
离子动能
100-1200 V
栅极直径
20 cm Φ
离子束
聚焦
流量
10-40 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
长度
30 cm
直径
41 cm
中和器
LFN 2000
推荐理由:
聚焦型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染
在整个实验工艺中工作气压保持在 3x 10-1Pa, 因此采用伯东 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.
伯东 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3 技术参数如下:
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
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2023-02-16相关仪器 -
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