美国 KRi 射频离子源应用于氧化物薄膜及异质结制备系统

美国 KRi 射频离子源应用于氧化物薄膜及异质结制备系统
上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 40 成功应用于氧化物薄膜及异质结制备系统, 协助客户完成 MgO, Y2O3, Al2O3 等金属氧化物在 6寸单晶硅上均匀沉积多层膜的需要, 单晶硅镀氧化薄膜的工艺过程, 用于研发磁学薄膜, 半导体薄膜, 光学薄膜和高温超导薄膜等.

KRi 射频离子源在氧化物薄膜及异质结制备系统中的作用
设备: 氧化物薄膜及异质结制备系统
离子源型号: KRi 射频离子源 RFICP 40, 功率 600W, 频率 13.56MHz
应用: 通过 IBAD 辅助镀膜工艺, 实现单晶硅氧化物薄膜的制备.
膜厚均匀性: 6 英寸样品, 蒸 MgO 薄膜 200nm, 片内测试 9 个点. 片内均匀性 ≤±5%, 片间膜厚均匀性 ≤±5%, 批次间膜厚均匀性≤±5%


真空环境下, KRi 射频离子源通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子 / 分子的流动性, 实现薄膜的致密化或通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到需要的材料. 同时 KRi 射频离子源可以对工艺过程优化, 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积.

美国 KRi 射频离子源 RFICP 40 特点:
RFICP 40 是美国 KRi 射频离子源系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用, 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

上海伯东美国 KRi RF 射频离子源无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长!  提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.



上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能, 广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.

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