EVG 501 Wafer Bonding System
EVG 501 晶圆键合系统
适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合系统
EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从单个芯片到150 mm（200 mm键合室为200 mm）的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性是大学，研发机构或小批量生产的理想选择。 EVG大批量制造工具（例如EVG GEMINI）上的键合室设计相同，键合配方易于转移，可轻松扩大生产规模。
主要应用于MEMS制造、微流体芯片、化合物半导体的薄片处理、晶圆级先进封装以及3D互联、TSV工艺。
三、主要特点
化降低客户总拥有成本（TCO）
键合温度450度，压力10KN
精确的硅片低压契型补偿系统以提高良率
温度均匀性： <+/- 1% ；压力均匀性：<+/- 5%
工艺菜单与其他键合系统通用
高真空键合腔室 (可低至 10-5 mbar，使用分子泵)
开放式腔室设计便于快速转换和维护
基于Windows 的控制软件和操作界面
化占地占地面积--- 200 mm键合系统占地 0.88 m2
四、技术参数
加热器尺寸=晶片尺寸（mm） | 150mm 或200mm | |
硅片直径 | 150mm加热器：单一小片或碎片；200mm加热器：100mm | |
键合卡盘/对准系统 | 150mm加热器 | EVG610，EVG620，EVG6200 |
200mm加热器 | EVG6200，MBA300，Smartview | |
键合腔 | 接触压力 | 3.5KN，10KN，20KN |
温度 | 450℃ | |
真空度 | 0.1mbar(标配)，1E-5（可选） | |
阳极键合功率 | 0-2000V，0-50A | |
腔室个数 | 1 | |
上料腔室 | 手动 | |
工艺菜单 | 与其他键合设备兼容 | |
咨询：182 6326 2536（微信同号）；
