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svs-1,svs-5,svs-7
品牌:日本三和电机
型号:SVS-1 Series
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SVS-5K 系列
品牌:日本三和电机
型号:SVS-5K 系列
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JULABO SL-14K 高精度温度校准槽
品牌:德国优莱博
型号:JULABO SL-14K
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胜利仪器 温度校验仪 VICTOR 14+
品牌:西安胜利
型号: VICTOR 14+
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VICTOR 07温度校验仪
品牌:西安胜利
型号:VICTOR 07
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云母
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 云母
- 产地:
产品名称:高质量云母片(进口)产品特点:表面平整、无划痕、光学清晰。产品简介:云母片适用于用于电子显微镜和高分辨率原子力显微镜下对细胞生长、薄膜涂层等方面的研究。常规尺寸:V1级云母尺寸:dia9.9mmx0.21mm、dia20x0.21mm、15x15x0.15-0.177mm;V2级云母片尺寸:15x15x0.27mm、25x25x0.27mm;标准包装:1000级超净室100级超净袋包装
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石英基底石墨烯膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 石英基底石墨烯膜
- 产地:
产品名称石英基底石墨烯石英基底厚度1mm/2mm石英透光率>93%石英基底石墨烯表面形貌石英玻璃基底名称规格方阻(□/sq)备注石英基底单层石墨烯膜1cm*1cm300-500单层覆盖率≥95%石英基底单层石墨烯膜2cm*2cm300-500单层覆盖率≥95%石英基底单层石墨烯膜5cm*5cm300-500单层覆盖率≥95%石英基底双层石墨烯膜1cm*1cm200-300石英基底双层石墨烯膜2cm*2cm200-300石英基底双层石墨烯膜5cm*5cm200-300 存储条件建议产品在常温下保存在干燥,低
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硅基底石墨烯膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 硅基底石墨烯膜
- 产地:
产品名称硅基底石墨烯膜硅片厚度700um硅片表面氧化硅厚度300nm硅片表面石墨烯光学形貌硅片表面石墨烯Raman光谱硅基底名称规格方阻(□/sq)备注单层石墨烯膜1cm*1cm300-500单层覆盖率≥95%单层石墨烯膜2cm*2cm300-500单层覆盖率≥95%单层石墨烯膜5cm*5cm300-500单层覆盖率≥95%双层石墨烯膜1cm*1cm200-300双层石墨烯膜2cm*2cm200-300双层石墨烯膜5cm*5cm200-300 存储条件建议产品在常温下保存在干燥,低氧(无氧)的容器中,建议
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Ti面终止的SrTiO3
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Ti面终止的SrTiO3
- 产地:
晶体结构:Cubic,a=3.905?生长方法:Vernuil密度:5.175g/cm3熔点:2080oC硬度:6(Mohn)热膨胀数:10.4(x10-6/oC)介电常数:~300LossTangentat10GHz:~5x10-4@300K,~3x10-4@77K表面特征:透明色或有点淡棕色化学稳定性:不溶于水Insolubleinwater常规尺寸:0.1°miscutfrom<100>(+/-0.1ofromYandXdirection);10x10x0.5mm±0.05mm;终止面:
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热解石墨箔
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 热解石墨箔
- 产地:美国
产品名称:热解石墨箔(Pyrolytic Graphite Sheet (PGS) for Aluminum Battery Research)产品简介:PGS(热解石墨箔)是一种高定向石墨聚合物薄膜,具有高导热系数和导电率,常用于电子器件/热沉间的散射垫片,也用于锂电池或者铝电池的电极。技术参数:碳含量:99.9%厚度:17 um(0.017±0.005 mm) ;常规尺寸:125mmx210mm密度Density:2.1g/cm3导热系数:1700~1900 W/(mK)(a-b面)15~20 W/(
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康宁7980上镀Si3N4
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 康宁7980上镀Si3N4
- 产地:美国
产品名称:康宁7980上镀Si3N4(SiliconNitrideFilm(LPCVD)onCorning7980)产品简介:The Si3N4 film may have stressed induced micro-cracking resulted from the large difference of thermal expansion coefficient between Si3N4 and SiO2 fused silica技术参数:Si3N4薄膜:镀膜方法:lowstressLPCVDm
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聚酰亚胺膜(HN Kapton 进口材料)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: HN Kapton 进口材料
- 产地:美国
产品名称:聚酰亚胺膜(HNKapton进口材料)产品简介:薄膜呈黄色透明,相对密度1.39~1.45,有突出的耐高温、耐辐射、耐化学腐蚀和电绝缘性能,可在250~280℃空气中长期使用。20℃时拉伸强度为200MPa,200℃时大于100MPa。特别适宜用作柔性印制电路板基材和各种耐高温电机电器绝缘材料。产品规格:长:12″宽:12″、25″、或者50″;厚度:0.001″、0.002″、0.003″、0.0003″、0.005″注:可按照客户要求加工尺寸标准包装:1000级超净100级超净袋包装
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PEN塑料上镀ITO膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: PEN塑料上镀ITO膜
- 产地:
产品名称:PEN塑料上镀ITO膜(Indium-Tin-Oxide(ITO)coatedplasticfilm)技术参数:塑料材料:PEN(DuPontTeijinTeonex)film镀膜方法:Magnetronsputtering尺寸大小:210mmwidthx230mmLx0.2mmThickness电阻率:15ohm/sq,透过率:>=75% 标准包装:1000级超净室100级超净袋真空锡箔纸包装
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InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜
- 产地:
产品名称:InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜(dia3”InP/InGaAs/InPEPIonInP<100>)产品参数:薄膜生长方法:MOCVDdeposition基底参数:N型掺S,InP:S[100]±0.5°,Nc=~5E18/cc薄膜InP:1um厚;N型掺Si;Nc=~5E15/cc薄膜In0.53Ga0.47As:3.0±0.5μm厚;N型不掺杂,Nc=1E15-1E16/cc薄膜InP(top):1umthickInPfilm,N型掺Si,Nc=1E15-1E16/cc
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Al2O3+Si薄膜(SOS)进口料
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Al2O3+Si薄膜(SOS)
- 产地:美国
产品名称:Al2O3+Si薄膜(SOS)进口料(大尺寸Silicon-on-Sapphire)常规尺寸:dia100;单抛技术参数:Si晶向:<100>Si掺杂类型:本征;不掺杂Si厚度:0.6um+/-0.06umSi电阻率:>100ohm.cmAl2O3基片:RplanewithsingleflatAl2O3尺寸:dia100x0.53mm平面度(flatness):10um平行性(Parallelism):20um抛光情况:单抛ProjectedC-Axis:45degree+/-
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Si上镀Cu薄膜(进口Cu coated Si Wafer )
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si上镀Cu薄膜
- 产地:美国
产品名称:Si上镀Cu薄膜(Cu?coated?Si?Wafer?)技术参数:薄膜厚度:400nmhighlyorientedpolycrystallineCu<111>Si基底尺寸:dia4”x0.525mmSi参数:P型掺B,<100>,单抛,电阻率:1-20ohm-cm表面粗糙度:asgrown,N/A产品规格:dia4inchor10x10mm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空封装或者单片盒装
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KH2PO4单晶
- 品牌:合肥科晶
- 型号: KH2PO4单晶
- 产地:美国
产品名称:?KH2PO4单晶产品简介:MonopotassiumPhosphatecrystalisnotedforitsnon-linearopticalproperties.Usedinopticalmodulatorsandfornon-linearopticssuchassecond-harmonicgeneration(SHG)产品规格:<100>10x10x0.9mm;单抛标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装
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硅酸镓镧 LGS
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 硅酸镓镧 LGS
- 产地:
产品名称:硅酸镓镧LGS(La3Ga5SiO14)技术参数:晶体切向:xyl/48.5°/26.7(0°,138.5°,26.7°)or(0°,22°,90°)晶体直径:dia76.2mm,dia100mm晶体厚度:0.35mm-0.5mm主定位边:dia3"是15mm;dia4"是32mm次定位边:dia3"是8mm;dia4"是18mm表面粗糙度:Ra≤1nm晶体抛光:单抛;双抛标准包装:1000级超净室100级超净袋包装
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二维材料(MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 二维材料(MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2)
- 产地:
产品名称:二维材料(MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2)供应信息:一片2~2.5mm×2~2.5mm左右大小,厚度约为0.1mm.需要大的请致电说明。另外可以按照重量购买,每mg的价格一般为每片单价的2倍。一片块材一般可以用于剥离样品1~3次。材料种类:黑磷(BP)人工合成块料二硫化钼(MoS2)天然5x5mm块料;天然10x10mm块料;天然15x15mm块料天然20x20mm块料二碲化钼(MoTe2)人工合成块料二硒化钼(MoSe2)人工合成块料二硫化钨(WS2)人工合成块料
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进口TiO2晶体(锐钛矿型)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 进口TiO2晶体(锐钛矿型)
- 产地:美国
产品名称:TiO2晶体(进口锐钛矿型)技术参数:常规晶向:<001>、<100>、<101>、<110>、<111>.常规尺寸:5x5x0.5mm抛光:单抛标准包装:1000级超净室100级超净袋包装
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GaSe(进口料)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: GaSe(进口料)
- 产地:美国
产品名称:GaSe(进口料)技术参数:摩尔质量(molarmass)148.69g/mol密度:5.03g/cm3熔点:960°C,1233K,1760°FBandgap:2.1eV(indirect)2.6电子迁移率:1600cm2?V?1?s?1(0K)6000cm2?V?1?s?1(300K)晶体结构:六方 常规尺寸:<0001>10x10x1.0mmascleaved标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装
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金刚石薄膜(高电阻DOI)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 金刚石薄膜(高电阻DOI)
- 产地:美国
产品名称:DOI(金刚石薄膜Diamond?on?Oxide)技术参数:基底尺寸:dia4"x0.5mmSi晶向:<100>±0.5°绝缘层:SiO2薄膜厚度:2um氧化层:1um电阻率:10E3~10E4ohm-cm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒
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Li箔片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Li箔片
- 产地:美国
产品名称:锂(Li)箔产品简介:产品参数:色泽:银白色金属熔点:180.5℃密度:0.534g/cc分子量:4.6.94表面质量:平直光亮,无油斑及杂物,无可是氧化物和氮化物产品规格:35mmx30mx0.17mm标准包装:1.卷状,干燥环境充氩气密封包装于铝塑复合袋;2.在惰性气体或干燥空气咋红进行包装;3.保存期6个月;相关产品:Al FoilCu FoilC FoilIn FoilLi FoilPb FoilMg FoilNi FoilSS FoilTi FoilTa FoilV FoilW Fpi
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Mo箔片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Mo箔片
- 产地:美国
产品名称:钼(Mo)箔产品简介:产品规格:100x100x0.1mm,100x100x0.025mm,100x100x0.05mm,毛坯产品参数:原子重量:95.96g/mol晶体结构:BCC室温下晶格常数:0.315nm密度:10.28g/cm3熔点:2623°C沸点:4639°C标准包装:1000级超净室100级超净袋包装相关产品:Al FoilCu FoilC FoilIn FoilLi FoilPb FoilMg FoilNi FoilSS FoilTi FoilTa FoilV FoilW Fp
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不锈钢箔片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 不锈钢箔片
- 产地:美国
产品名称:不锈钢箔片产品简介:产品规格:Lx300mmx0.1mm,毛坯标准包装:1000级超净室100级超净袋锡箔纸真空包装相关产品:Al FoilCu FoilC FoilIn FoilLi FoilPb FoilMg FoilNi FoilSS FoilTi FoilTa FoilV FoilW Fpil
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进口Fe2O3
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 进口Fe2O3
- 产地:美国
产品名称:Fe2O3(进口料)技术参数:生长方法:Natural,天然原料晶体晶向:<0001>、<10-10>、<11-20>othersonrequest最大尺寸:20x20mm晶体结构:a=5,04AC=13,77hexagonal密度:5.20g/cm3硬度:6.5产品规格:常规晶向:<0001>、<1-100>、<11-20><0.4°;常规尺寸:5x5x1.0mm、10x10x0.5mm;抛光情况:单抛;标准包装:1
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进口GOI (Ge on insulator)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 进口GOI (Ge on insulator)
- 产地:美国
产品名称:进口GOI(Germanium?on?Insulator)产品简介:技术参数:Devicelayer:直径:6"类型:P型掺B晶向:<100>+/10degreetoward<111>厚度:50nm+/-3%电阻率:correspondingto1E18/cc边取:<111>抛光:单抛BuriedThermalOxide:厚度:100nmHandlewafer:掺杂类型:P型掺B晶向:<100>电阻率:5-20ohm-cm厚度:625+/-15um
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石墨烯薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 石墨烯薄膜
- 产地:美国
产品名称:石墨烯薄膜产品数据:产品尺寸:dia100mm生长方法:CVD法薄膜厚度:1-10单分子层厚度Ni层厚度:300nm氧化层厚度:500nmSi片厚度:500umResearchGrade,about90%usefularea详细参数请点击 数据图表: Graphene film structure Optical microstructure pictureRamam Spectrum标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
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进口AlN单晶
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 进口AlN单晶
- 产地:美国
产品名称:ALN单晶(进口)技术参数:晶向:<0001>±1°尺寸:9.9x9.9x0.5±0.05mm吸收系数:Absorption coefficient< 80 cm-1Etch pit density(EPD):< 1E5 cm-2可用面积Usable area:> 80 %边缘排除edge exclusion:1.0 mm表面粗糙度:Al 面: CMP polish (RMS < 0.8 nm), N 面: optical polish (RMS < 3
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InSb(国外进口)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: InSb(国外进口)
- 产地:美国
产品名称:InSb?P型掺Ge技术参数:生长方法:LEC晶向:<100>±0.5°载流子浓度:(0.05-0.50)x10^17/ccMobility:>(4.0-8.4)x10^3cm2/VsEPD:<200/cm2尺寸:dia2"x0.45mm抛光:单面抛光常规尺寸:<100>dia2"X0.45mm单抛标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒
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不同基底上的石墨烯材料
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 石墨烯材料
- 产地:
产品名称:不同基底上的石墨烯材料基底种类:(1)在铜片上合成3.5英寸的石墨烯(单层)(2)在Ni或Cu等薄膜上合成4英寸的石墨烯薄膜(单层或少数层);(3)转移到硅片、玻璃、石英、PET等基板上的石墨烯,尺寸小于4英寸(单层或少数层)标准包装:1000级超净室100级超净袋
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Ga2O3-ß 单晶
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Ga2O3-ß 单晶
- 产地:美国
产品名称:?Ga2O3-??单晶技术参数:晶体结构:单斜晶体Monoclinic晶格常数:a=12.23A,b=3.04A,c=5.80A,?=103.7°晶向:<201>+/-0.7°(Pleasepayattentiona,b,caxisdefinitionabove) 产品规格:dia50.8 x0.65mm,单抛标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
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氮化镓(GaN)薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 氮化镓(GaN)薄膜
- 产地:合肥
产品名称:氮化镓(GaN)薄膜产品简介:氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。在HVPE过程中,盐酸反应生成GaCl,而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化镓单晶基板。技术参数:常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型注:可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。产品定位C轴<0001>±1°传导类型N型;半
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Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")
- 产地:美国
产品名称:Si片外延AlN膜产品简介:Si片外延AlN膜是通过HVPE方法生长,其实验衬底效果已日渐取代AlN单晶基片技术参数:AlN厚度:200nm±10%,单面镀膜正面:<2nmRMS,as-grown背面:siliconasreceivedAlN晶向:(00.2)宏缺陷密度:<10/cm^2薄膜衬底:Si[111]Ntype,dia4"x0.5mm,电阻res:1~10ohm-cm,单抛 常规尺寸:dia4"x0.5mm,单抛;标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
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金刚石薄膜(高阻DOS )
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 金刚石薄膜(高阻DOS )
- 产地:美国
产品名称:金刚石薄膜(Diamond?on?Silicon?Wafer)技术参数:产品尺寸:dia4"x0.5mmSi面晶向:<100>±0.5°薄膜厚度:?2um;1um电阻率:10E3~10E4ohm-cm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
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Al2O3+ZnO薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Al2O3+ZnO薄膜
- 产地:美国
产品名称:AL2O3+ZnO晶体(进口料ZnO?epi?film?on?Sapphire)技术参数:晶向:<0001>薄膜厚度:500A(0.5micron)厚度公差:5%电阻率:10to10E3ohm-cm抛光:单抛常规尺寸:dia50.8x0.5mm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装
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Mg薄片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Mg薄片
- 产地:
产品名称:Mg(镁)薄片常规尺寸:100x1000x0.1mm;可以按照客户要求加工尺寸标准包装:1000级超净室及100级超净袋锡箔纸真空包装
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DOI(低阻金刚石薄膜)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: DOI(低阻金刚石薄膜
- 产地:美国
产品名称:DOI(低阻金刚石薄膜Diamond?on?Oxide)产品参数:基底尺寸:dia4"x0.5mmSi晶向:<100>±0.5°绝缘层:SiO2薄膜厚度:2um氧化层:1um电阻率:<0.1ohm-cm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
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A-Z金属多晶
- 品牌:合肥科晶
- 型号: A-Z金属多晶
- 产地:
产品名称:A-Z系列金属多晶基片产品简介:科晶集团提供各种尺寸A-Z多晶基片,真诚欢迎您的垂询!具体信息:Al铝片Au金片Cu铜片Cr铬片Co钴片Er锇片Fe铁片Mo钼片Hf铪片Ni镍片Nb铌片Ti钛片Ta钽片W钨片Y铱片Zr锆片3N5-5NB高纯铍片3N5-5N Ca高纯钙片3N5-5N Mg高纯镁片标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装储存须知:由于金属极易氧化,请放在真空储藏盒内。
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铱(Y)片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 铱(Y)片
- 产地:
产品名称:铱(Y)片产品参数:常规尺寸:10x10x1.0mm注:可按照客户要求加工尺寸标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装储存须知:由于金属极易氧化,请于真空储藏。
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锇(Er)片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 锇(Er)片
- 产地:
产品名称:锇(Er)片产品参数:常规尺寸:10x10x1.0mm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装储存须知:由于金属极易氧化,请于真空储藏。
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- 尘埃粒子计数器