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SPS-16R/M
品牌:日本三和电机
型号:SPS-16R/M
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SPW-181F/281F
品牌:日本三和电机
型号:SPW-181F/281F
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SVS-5K 系列
品牌:日本三和电机
型号:SVS-5K 系列
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SPS-18NK/18NK2/18TF
品牌:日本三和电机
型号:SPS-18NK/18NK2/18TF
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JULABO FK30-SL 高精度温度校准槽
品牌:德国优莱博
型号:JULABO FK30-SL
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热解石墨箔
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 热解石墨箔
- 产地:美国
产品名称:热解石墨箔(Pyrolytic Graphite Sheet (PGS) for Aluminum Battery Research)产品简介:PGS(热解石墨箔)是一种高定向石墨聚合物薄膜,具有高导热系数和导电率,常用于电子器件/热沉间的散射垫片,也用于锂电池或者铝电池的电极。技术参数:碳含量:99.9%厚度:17 um(0.017±0.005 mm) ;常规尺寸:125mmx210mm密度Density:2.1g/cm3导热系数:1700~1900 W/(mK)(a-b面)15~20 W/(
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康宁7980上镀Si3N4
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 康宁7980上镀Si3N4
- 产地:美国
产品名称:康宁7980上镀Si3N4(SiliconNitrideFilm(LPCVD)onCorning7980)产品简介:The Si3N4 film may have stressed induced micro-cracking resulted from the large difference of thermal expansion coefficient between Si3N4 and SiO2 fused silica技术参数:Si3N4薄膜:镀膜方法:lowstressLPCVDm
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聚酰亚胺膜(HN Kapton 进口材料)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: HN Kapton 进口材料
- 产地:美国
产品名称:聚酰亚胺膜(HNKapton进口材料)产品简介:薄膜呈黄色透明,相对密度1.39~1.45,有突出的耐高温、耐辐射、耐化学腐蚀和电绝缘性能,可在250~280℃空气中长期使用。20℃时拉伸强度为200MPa,200℃时大于100MPa。特别适宜用作柔性印制电路板基材和各种耐高温电机电器绝缘材料。产品规格:长:12″宽:12″、25″、或者50″;厚度:0.001″、0.002″、0.003″、0.0003″、0.005″注:可按照客户要求加工尺寸标准包装:1000级超净100级超净袋包装
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Al2O3+Si薄膜(SOS)进口料
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Al2O3+Si薄膜(SOS)
- 产地:美国
产品名称:Al2O3+Si薄膜(SOS)进口料(大尺寸Silicon-on-Sapphire)常规尺寸:dia100;单抛技术参数:Si晶向:<100>Si掺杂类型:本征;不掺杂Si厚度:0.6um+/-0.06umSi电阻率:>100ohm.cmAl2O3基片:RplanewithsingleflatAl2O3尺寸:dia100x0.53mm平面度(flatness):10um平行性(Parallelism):20um抛光情况:单抛ProjectedC-Axis:45degree+/-
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Si上镀Cu薄膜(进口Cu coated Si Wafer )
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si上镀Cu薄膜
- 产地:美国
产品名称:Si上镀Cu薄膜(Cu?coated?Si?Wafer?)技术参数:薄膜厚度:400nmhighlyorientedpolycrystallineCu<111>Si基底尺寸:dia4”x0.525mmSi参数:P型掺B,<100>,单抛,电阻率:1-20ohm-cm表面粗糙度:asgrown,N/A产品规格:dia4inchor10x10mm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空封装或者单片盒装
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KH2PO4单晶
- 品牌:合肥科晶
- 型号: KH2PO4单晶
- 产地:美国
产品名称:?KH2PO4单晶产品简介:MonopotassiumPhosphatecrystalisnotedforitsnon-linearopticalproperties.Usedinopticalmodulatorsandfornon-linearopticssuchassecond-harmonicgeneration(SHG)产品规格:<100>10x10x0.9mm;单抛标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装
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进口TiO2晶体(锐钛矿型)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 进口TiO2晶体(锐钛矿型)
- 产地:美国
产品名称:TiO2晶体(进口锐钛矿型)技术参数:常规晶向:<001>、<100>、<101>、<110>、<111>.常规尺寸:5x5x0.5mm抛光:单抛标准包装:1000级超净室100级超净袋包装
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GaSe(进口料)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: GaSe(进口料)
- 产地:美国
产品名称:GaSe(进口料)技术参数:摩尔质量(molarmass)148.69g/mol密度:5.03g/cm3熔点:960°C,1233K,1760°FBandgap:2.1eV(indirect)2.6电子迁移率:1600cm2?V?1?s?1(0K)6000cm2?V?1?s?1(300K)晶体结构:六方 常规尺寸:<0001>10x10x1.0mmascleaved标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装
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金刚石薄膜(高电阻DOI)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 金刚石薄膜(高电阻DOI)
- 产地:美国
产品名称:DOI(金刚石薄膜Diamond?on?Oxide)技术参数:基底尺寸:dia4"x0.5mmSi晶向:<100>±0.5°绝缘层:SiO2薄膜厚度:2um氧化层:1um电阻率:10E3~10E4ohm-cm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒
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Li箔片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Li箔片
- 产地:美国
产品名称:锂(Li)箔产品简介:产品参数:色泽:银白色金属熔点:180.5℃密度:0.534g/cc分子量:4.6.94表面质量:平直光亮,无油斑及杂物,无可是氧化物和氮化物产品规格:35mmx30mx0.17mm标准包装:1.卷状,干燥环境充氩气密封包装于铝塑复合袋;2.在惰性气体或干燥空气咋红进行包装;3.保存期6个月;相关产品:Al FoilCu FoilC FoilIn FoilLi FoilPb FoilMg FoilNi FoilSS FoilTi FoilTa FoilV FoilW Fpi
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Mo箔片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Mo箔片
- 产地:美国
产品名称:钼(Mo)箔产品简介:产品规格:100x100x0.1mm,100x100x0.025mm,100x100x0.05mm,毛坯产品参数:原子重量:95.96g/mol晶体结构:BCC室温下晶格常数:0.315nm密度:10.28g/cm3熔点:2623°C沸点:4639°C标准包装:1000级超净室100级超净袋包装相关产品:Al FoilCu FoilC FoilIn FoilLi FoilPb FoilMg FoilNi FoilSS FoilTi FoilTa FoilV FoilW Fp
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不锈钢箔片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 不锈钢箔片
- 产地:美国
产品名称:不锈钢箔片产品简介:产品规格:Lx300mmx0.1mm,毛坯标准包装:1000级超净室100级超净袋锡箔纸真空包装相关产品:Al FoilCu FoilC FoilIn FoilLi FoilPb FoilMg FoilNi FoilSS FoilTi FoilTa FoilV FoilW Fpil
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进口Fe2O3
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 进口Fe2O3
- 产地:美国
产品名称:Fe2O3(进口料)技术参数:生长方法:Natural,天然原料晶体晶向:<0001>、<10-10>、<11-20>othersonrequest最大尺寸:20x20mm晶体结构:a=5,04AC=13,77hexagonal密度:5.20g/cm3硬度:6.5产品规格:常规晶向:<0001>、<1-100>、<11-20><0.4°;常规尺寸:5x5x1.0mm、10x10x0.5mm;抛光情况:单抛;标准包装:1
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进口GOI (Ge on insulator)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 进口GOI (Ge on insulator)
- 产地:美国
产品名称:进口GOI(Germanium?on?Insulator)产品简介:技术参数:Devicelayer:直径:6"类型:P型掺B晶向:<100>+/10degreetoward<111>厚度:50nm+/-3%电阻率:correspondingto1E18/cc边取:<111>抛光:单抛BuriedThermalOxide:厚度:100nmHandlewafer:掺杂类型:P型掺B晶向:<100>电阻率:5-20ohm-cm厚度:625+/-15um
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石墨烯薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 石墨烯薄膜
- 产地:美国
产品名称:石墨烯薄膜产品数据:产品尺寸:dia100mm生长方法:CVD法薄膜厚度:1-10单分子层厚度Ni层厚度:300nm氧化层厚度:500nmSi片厚度:500umResearchGrade,about90%usefularea详细参数请点击 数据图表: Graphene film structure Optical microstructure pictureRamam Spectrum标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
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进口AlN单晶
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 进口AlN单晶
- 产地:美国
产品名称:ALN单晶(进口)技术参数:晶向:<0001>±1°尺寸:9.9x9.9x0.5±0.05mm吸收系数:Absorption coefficient< 80 cm-1Etch pit density(EPD):< 1E5 cm-2可用面积Usable area:> 80 %边缘排除edge exclusion:1.0 mm表面粗糙度:Al 面: CMP polish (RMS < 0.8 nm), N 面: optical polish (RMS < 3
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InSb(国外进口)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: InSb(国外进口)
- 产地:美国
产品名称:InSb?P型掺Ge技术参数:生长方法:LEC晶向:<100>±0.5°载流子浓度:(0.05-0.50)x10^17/ccMobility:>(4.0-8.4)x10^3cm2/VsEPD:<200/cm2尺寸:dia2"x0.45mm抛光:单面抛光常规尺寸:<100>dia2"X0.45mm单抛标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒
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Ga2O3-ß 单晶
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Ga2O3-ß 单晶
- 产地:美国
产品名称:?Ga2O3-??单晶技术参数:晶体结构:单斜晶体Monoclinic晶格常数:a=12.23A,b=3.04A,c=5.80A,?=103.7°晶向:<201>+/-0.7°(Pleasepayattentiona,b,caxisdefinitionabove) 产品规格:dia50.8 x0.65mm,单抛标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
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Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")
- 产地:美国
产品名称:Si片外延AlN膜产品简介:Si片外延AlN膜是通过HVPE方法生长,其实验衬底效果已日渐取代AlN单晶基片技术参数:AlN厚度:200nm±10%,单面镀膜正面:<2nmRMS,as-grown背面:siliconasreceivedAlN晶向:(00.2)宏缺陷密度:<10/cm^2薄膜衬底:Si[111]Ntype,dia4"x0.5mm,电阻res:1~10ohm-cm,单抛 常规尺寸:dia4"x0.5mm,单抛;标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
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金刚石薄膜(高阻DOS )
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 金刚石薄膜(高阻DOS )
- 产地:美国
产品名称:金刚石薄膜(Diamond?on?Silicon?Wafer)技术参数:产品尺寸:dia4"x0.5mmSi面晶向:<100>±0.5°薄膜厚度:?2um;1um电阻率:10E3~10E4ohm-cm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
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Al2O3+ZnO薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Al2O3+ZnO薄膜
- 产地:美国
产品名称:AL2O3+ZnO晶体(进口料ZnO?epi?film?on?Sapphire)技术参数:晶向:<0001>薄膜厚度:500A(0.5micron)厚度公差:5%电阻率:10to10E3ohm-cm抛光:单抛常规尺寸:dia50.8x0.5mm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装
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DOI(低阻金刚石薄膜)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: DOI(低阻金刚石薄膜
- 产地:美国
产品名称:DOI(低阻金刚石薄膜Diamond?on?Oxide)产品参数:基底尺寸:dia4"x0.5mmSi晶向:<100>±0.5°绝缘层:SiO2薄膜厚度:2um氧化层:1um电阻率:<0.1ohm-cm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
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Si+SiO2+Ti+Pt <111> (dia2"进口薄膜)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si+SiO2+Ti+Pt
- 产地:美国
产品名称:Si上镀SiO2+Ti+Pt<111>薄膜(进口料)薄膜参数:Si参数:P型,R;5-10ohm.cmSiO2参数:300nmTi参数:10nmPt<111>参数:150nmPt薄膜最大热预算:<700~750degreeC/1hr(Maximum Thermal Budget of Pt film)常规尺寸:dia2"±0.5mmx0.279mm、单抛;数据图:标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
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InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘)进口料
- 品牌:合肥科晶
- 型号: InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘)进口料
- 产地:美国
产品名称:?InP上镀InGaAs薄膜?半绝缘 进口料(InGaAs?EPI?on?InP,Semi-insulating)常规尺寸:dia2"InP晶向:<100>掺杂类型:掺Fe;半绝缘型电阻率:>1x10^7)ohm.cmInPEPD:<1x10^4/cm^2薄膜参数:LatticematchedIn/GaalloylayerofN-typeInGaAs(Si-doped)薄膜Nc:>2x10^18/cc 薄膜厚度:0.5um(± 20%)生长方法:MOCVDdepos
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Si+SiO2+Si3N4薄膜(进口料)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si+SiO2+Si3N4薄膜(进口料)
- 产地:美国
产品名称:Si+SiO2+Si3N4薄膜(进口料)常规尺寸:dia50.8±0.5mmx0.250 ±0.025mm备注:可按照客户要求镀膜50-1000nm;标准包装:技术参数:1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装薄膜厚度:双面镀300nmSiO250nmSi3N4研究级别:about80%useful area生长方法:在1000℃干氧法折射率:-1.455Si参数:<100>±0.5°;P型掺B;R:0.01-0.1ohm-cm,抛光:双面抛光
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钠钙玻璃上镀Au
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 钠钙玻璃上镀Au
- 产地:美国
产品名称:钠钙玻璃上镀Au?(Au(Gold)?Coated?Microscope?Slides,Gold?layer?thickness)技术参数:标准包装:玻璃尺寸:75x25mm,1mmthickness,sodalimeglass铬粘附层厚度:5nm金膜层厚:50nm(+/-5nm) 1000级超净室100级超净袋真空包装
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PbS
- 品牌:合肥科晶
- 型号: PbS
- 产地:美国
产品名称:PbS?单晶技术参数:材料名称:PbS晶体结构:立方(Cubic)密度:7.60g/cm^38.15g/cm^38.16g/cm^3产品规格:<100>10x10x0.5mm;5x5x0.5mm单抛;双抛标准包装:1000级超净室100级超净袋包装
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Si上镀Al薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si上镀Al薄膜(Aluminum Film on Silicon Wafer)
- 产地:美国
产品名称:Si上镀Al薄膜(Aluminum?Film?on?Silicon?Wafer)常规尺寸:dia4" ±0.5mmx0.525 ±0.025mm技术参数:Al薄膜厚度:3um薄膜电阻率:2.65microohm-cm薄膜结晶:Weak(111)-orientedpoly-crystals薄膜表面粗糙度:4.87nmand<10nmSi导电类型:N型Si电阻率:<0.005?ohm-cm?;1-10ohm-cm?Si晶向:<100>±0.5°抛光情况:单抛标准包装:1000
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VGF法生长GaAs
- 品牌:合肥科晶
- 型号: VGF法生长GaAs
- 产地:美国
产品名称:VGF生长法GaAs(进口料GaAssinglecrystalwafer,PRIMEGrade)常规尺寸:dia2"x0.5mm;单抛技术参数:生长方法:VGF法GaAs晶向:<100>2degreeOFFToward<101>±0.5deg产品尺寸:dia2"x0.5mm掺杂类型:N型掺Te载流子浓度:(0.15-2.6)E18/cm^3迁移率:2700~3600cm^2/V.S电阻率:9E-4~1.1E-2ohm-cmEPD:<8000/cm^2标准包装:100
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4H-SiC上镀4H-SiC薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型
- 产地:美国
产品名称:4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型(4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type)常规尺寸:dia4"±0.5mmx0.525±0.025mm技术参数:4H-SiC薄膜晶向:<0001>4H-SiC薄膜厚度(filmtargetthickness):4.3um±10%4H-SiC薄膜厚度(filmtargetdopinglayer):1.4E17/cc+0%/-30%载流子浓度:(3~10)E16/cc导电类型:P型抛光情况:双面抛光4H-SiC基
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