-
SPS-16R/M
品牌:日本三和电机
型号:SPS-16R/M
-
JULABO FK31-SL高精度温度校准槽
品牌:德国优莱博
型号:FK31-SL
-
JULABO SL-8K高精度温度校准槽
品牌:德国优莱博
型号:SL-8K
-
JULABO FK89-HL 高精度温度校准槽
品牌:德国优莱博
型号:JULABO FK89-HL
-
VICTOR 07温度校验仪
品牌:西安胜利
型号:VICTOR 07
- 产品品牌
- 不限
-
更多品牌
- >
-
HDT3601湿度检测校准仪多点校准厂家包邮
- 品牌:芬兰维萨拉
- 型号: HDT3601
- 产地:芬兰
特征: · 独立可编程模式 · 友好的人机界面
-
密析尔OPT401 校准记录仪 高性能光学露点变送器温湿度计厂家包邮
- 品牌:英国密析尔
- 型号: OPT401
- 产地:英国
亮点 精密的过程露点、 % RH 和温度测量 量程宽 露点精度 0.2°C (0.15°C 可选)
-
高温黑体辐射源
- 品牌:英国爱松特
- 型号: BB2000gr
- 产地:英国
产品概述 俄罗斯ULTRATHERM高温系列黑体辐射源是由俄罗斯联邦技术控制和计量署的“全俄光学物理学测量研究所”研制的。目前,已经在全球16个国家计量院得到应用,包括美国、德国、英国、ZG和韩国等,而且已经得到用户的广泛赞誉。 俄罗斯ULTRATHERM高温系列黑体辐射源是在UVI(UVVIS-IR)光谱范围内发射光学辐射的标准热源,主要作为辐射测量系统和分光光度系统的标准辐射源使用。目前其主要被用作光谱辐射亮度标准辐射源,光谱辐射照度标准辐射源,光学高温计校准标准辐射源,辐射温度测量标准辐射源等。 BB2000gr高温黑体炉(900℃~2000℃),发射率为0.995±0.003,主要应用于计量领域(光学高温计的校准),其开口直径为40mm的圆柱形辐射腔由石墨制作而成。
-
S型靠背管
- 品牌:法国凯茂
- 型号: S型靠背管
- 产地:法国
S型靠背管是高精度的差压风速风量传感器,尺寸可根据客户要求定做,S型靠背管是测量气流总压和静压以确定气流速度的一种管状装置,结构简单,使用方便,用途很广,常用来测量通风管道,工业管道,炉窑烟道内的气流速度,经过换算来确定流量.更多S型靠背管详细内
-
S型皮托管
- 品牌:法国凯茂
- 型号: S型皮托管
- 产地:法国
S型皮托管可用来测量管道动压,法国KIMO公司提供高品质与高精度S型皮托管,符合AFNORNFX10-112,当S型皮托管搭配差压仪可测量管道内气体流动的动压并计算风速与风量,S型皮托管适用于空调系统,真空清洁,特别是高温和多粉尘空气和高流速的风速测量. S型皮托管功能简介: 带K型热电偶温度补偿,符合ISO10780标准; 搭配压差计或压差变送器使用测量风速,风量与温度; 使用温度:0~1000℃; 直径:8mm;
-
TH300系列温湿度变送器
- 品牌:法国凯茂
- 型号: TH300系列温湿度变送器
- 产地:法国
TH300系列温湿度变送器为法国KIMO公司进口,可高精度测量相对湿度与温度,并可计算:露点,混合率,湿球温度,热焓 TH300温湿度变送器功能简介: - 可精确测量参数:相对湿度,温度,露点,混合率,湿球温度,热焓; - 智能型可互换式湿度探头可选;探头材料有工业塑料或不锈钢2种可选; - 现场可进行温湿度比对和校准; - 变送器同时显示1到4通道测量参数(可自行设置); - 4线式两组4~20
-
法国KIMO-TH200温湿度变送器
- 品牌:法国凯茂
- 型号: KIMO-TH200
- 产地:法国
TH200温湿度变送器功能简介: - 量程:0~100%RH和-40~+180°C(具体依探头不同而定); - 输出信号对应量程可由按键或软件自行设置; - 测量参数:相对湿度,温度,露点,混合率,湿球温度,热焓; - 具有工业塑料或不锈钢二种材料智能型可互换式湿度探头可选; - 可进行现场温湿度比对和校准; 产品规格 温度 湿度 量程 -20~
-
HM50湿度变送器
- 品牌:法国凯茂
- 型号: HM50湿度变送器
- 产地:法国
HM50湿度变送器功能简介: 量程:0~100%RH 输出/电源:0~10V(3或4线式)/24VAC或VDC 输出/电源:4~20mA(2线式)/18~30VDC 无显示屏,ABS塑料外壳 防护等级:IP30 HM50湿度变送器主要参数: 量程 0~100%RH 单位 %RH 精度 ±2%RH(+15℃≤T≤+25℃) 输
-
石英基底石墨烯膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 石英基底石墨烯膜
- 产地:
产品名称石英基底石墨烯石英基底厚度1mm/2mm石英透光率>93%石英基底石墨烯表面形貌石英玻璃基底名称规格方阻(□/sq)备注石英基底单层石墨烯膜1cm*1cm300-500单层覆盖率≥95%石英基底单层石墨烯膜2cm*2cm300-500单层覆盖率≥95%石英基底单层石墨烯膜5cm*5cm300-500单层覆盖率≥95%石英基底双层石墨烯膜1cm*1cm200-300石英基底双层石墨烯膜2cm*2cm200-300石英基底双层石墨烯膜5cm*5cm200-300 存储条件建议产品在常温下保存在干燥,低
-
硅基底石墨烯膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 硅基底石墨烯膜
- 产地:
产品名称硅基底石墨烯膜硅片厚度700um硅片表面氧化硅厚度300nm硅片表面石墨烯光学形貌硅片表面石墨烯Raman光谱硅基底名称规格方阻(□/sq)备注单层石墨烯膜1cm*1cm300-500单层覆盖率≥95%单层石墨烯膜2cm*2cm300-500单层覆盖率≥95%单层石墨烯膜5cm*5cm300-500单层覆盖率≥95%双层石墨烯膜1cm*1cm200-300双层石墨烯膜2cm*2cm200-300双层石墨烯膜5cm*5cm200-300 存储条件建议产品在常温下保存在干燥,低氧(无氧)的容器中,建议
-
Ti面终止的SrTiO3
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Ti面终止的SrTiO3
- 产地:
晶体结构:Cubic,a=3.905?生长方法:Vernuil密度:5.175g/cm3熔点:2080oC硬度:6(Mohn)热膨胀数:10.4(x10-6/oC)介电常数:~300LossTangentat10GHz:~5x10-4@300K,~3x10-4@77K表面特征:透明色或有点淡棕色化学稳定性:不溶于水Insolubleinwater常规尺寸:0.1°miscutfrom<100>(+/-0.1ofromYandXdirection);10x10x0.5mm±0.05mm;终止面:
-
热解石墨箔
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 热解石墨箔
- 产地:美国
产品名称:热解石墨箔(Pyrolytic Graphite Sheet (PGS) for Aluminum Battery Research)产品简介:PGS(热解石墨箔)是一种高定向石墨聚合物薄膜,具有高导热系数和导电率,常用于电子器件/热沉间的散射垫片,也用于锂电池或者铝电池的电极。技术参数:碳含量:99.9%厚度:17 um(0.017±0.005 mm) ;常规尺寸:125mmx210mm密度Density:2.1g/cm3导热系数:1700~1900 W/(mK)(a-b面)15~20 W/(
-
康宁7980上镀Si3N4
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 康宁7980上镀Si3N4
- 产地:美国
产品名称:康宁7980上镀Si3N4(SiliconNitrideFilm(LPCVD)onCorning7980)产品简介:The Si3N4 film may have stressed induced micro-cracking resulted from the large difference of thermal expansion coefficient between Si3N4 and SiO2 fused silica技术参数:Si3N4薄膜:镀膜方法:lowstressLPCVDm
-
聚酰亚胺膜(HN Kapton 进口材料)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: HN Kapton 进口材料
- 产地:美国
产品名称:聚酰亚胺膜(HNKapton进口材料)产品简介:薄膜呈黄色透明,相对密度1.39~1.45,有突出的耐高温、耐辐射、耐化学腐蚀和电绝缘性能,可在250~280℃空气中长期使用。20℃时拉伸强度为200MPa,200℃时大于100MPa。特别适宜用作柔性印制电路板基材和各种耐高温电机电器绝缘材料。产品规格:长:12″宽:12″、25″、或者50″;厚度:0.001″、0.002″、0.003″、0.0003″、0.005″注:可按照客户要求加工尺寸标准包装:1000级超净100级超净袋包装
-
PEN塑料上镀ITO膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: PEN塑料上镀ITO膜
- 产地:
产品名称:PEN塑料上镀ITO膜(Indium-Tin-Oxide(ITO)coatedplasticfilm)技术参数:塑料材料:PEN(DuPontTeijinTeonex)film镀膜方法:Magnetronsputtering尺寸大小:210mmwidthx230mmLx0.2mmThickness电阻率:15ohm/sq,透过率:>=75% 标准包装:1000级超净室100级超净袋真空锡箔纸包装
-
InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜
- 产地:
产品名称:InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜(dia3”InP/InGaAs/InPEPIonInP<100>)产品参数:薄膜生长方法:MOCVDdeposition基底参数:N型掺S,InP:S[100]±0.5°,Nc=~5E18/cc薄膜InP:1um厚;N型掺Si;Nc=~5E15/cc薄膜In0.53Ga0.47As:3.0±0.5μm厚;N型不掺杂,Nc=1E15-1E16/cc薄膜InP(top):1umthickInPfilm,N型掺Si,Nc=1E15-1E16/cc
-
Al2O3+Si薄膜(SOS)进口料
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Al2O3+Si薄膜(SOS)
- 产地:美国
产品名称:Al2O3+Si薄膜(SOS)进口料(大尺寸Silicon-on-Sapphire)常规尺寸:dia100;单抛技术参数:Si晶向:<100>Si掺杂类型:本征;不掺杂Si厚度:0.6um+/-0.06umSi电阻率:>100ohm.cmAl2O3基片:RplanewithsingleflatAl2O3尺寸:dia100x0.53mm平面度(flatness):10um平行性(Parallelism):20um抛光情况:单抛ProjectedC-Axis:45degree+/-
-
Si上镀Cu薄膜(进口Cu coated Si Wafer )
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si上镀Cu薄膜
- 产地:美国
产品名称:Si上镀Cu薄膜(Cu?coated?Si?Wafer?)技术参数:薄膜厚度:400nmhighlyorientedpolycrystallineCu<111>Si基底尺寸:dia4”x0.525mmSi参数:P型掺B,<100>,单抛,电阻率:1-20ohm-cm表面粗糙度:asgrown,N/A产品规格:dia4inchor10x10mm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空封装或者单片盒装
-
KH2PO4单晶
- 品牌:合肥科晶
- 型号: KH2PO4单晶
- 产地:美国
产品名称:?KH2PO4单晶产品简介:MonopotassiumPhosphatecrystalisnotedforitsnon-linearopticalproperties.Usedinopticalmodulatorsandfornon-linearopticssuchassecond-harmonicgeneration(SHG)产品规格:<100>10x10x0.9mm;单抛标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装
-
硅酸镓镧 LGS
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 硅酸镓镧 LGS
- 产地:
产品名称:硅酸镓镧LGS(La3Ga5SiO14)技术参数:晶体切向:xyl/48.5°/26.7(0°,138.5°,26.7°)or(0°,22°,90°)晶体直径:dia76.2mm,dia100mm晶体厚度:0.35mm-0.5mm主定位边:dia3"是15mm;dia4"是32mm次定位边:dia3"是8mm;dia4"是18mm表面粗糙度:Ra≤1nm晶体抛光:单抛;双抛标准包装:1000级超净室100级超净袋包装
-
二维材料(MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 二维材料(MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2)
- 产地:
产品名称:二维材料(MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2)供应信息:一片2~2.5mm×2~2.5mm左右大小,厚度约为0.1mm.需要大的请致电说明。另外可以按照重量购买,每mg的价格一般为每片单价的2倍。一片块材一般可以用于剥离样品1~3次。材料种类:黑磷(BP)人工合成块料二硫化钼(MoS2)天然5x5mm块料;天然10x10mm块料;天然15x15mm块料天然20x20mm块料二碲化钼(MoTe2)人工合成块料二硒化钼(MoSe2)人工合成块料二硫化钨(WS2)人工合成块料
-
进口TiO2晶体(锐钛矿型)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 进口TiO2晶体(锐钛矿型)
- 产地:美国
产品名称:TiO2晶体(进口锐钛矿型)技术参数:常规晶向:<001>、<100>、<101>、<110>、<111>.常规尺寸:5x5x0.5mm抛光:单抛标准包装:1000级超净室100级超净袋包装
-
GaSe(进口料)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: GaSe(进口料)
- 产地:美国
产品名称:GaSe(进口料)技术参数:摩尔质量(molarmass)148.69g/mol密度:5.03g/cm3熔点:960°C,1233K,1760°FBandgap:2.1eV(indirect)2.6电子迁移率:1600cm2?V?1?s?1(0K)6000cm2?V?1?s?1(300K)晶体结构:六方 常规尺寸:<0001>10x10x1.0mmascleaved标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装
-
金刚石薄膜(高电阻DOI)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 金刚石薄膜(高电阻DOI)
- 产地:美国
产品名称:DOI(金刚石薄膜Diamond?on?Oxide)技术参数:基底尺寸:dia4"x0.5mmSi晶向:<100>±0.5°绝缘层:SiO2薄膜厚度:2um氧化层:1um电阻率:10E3~10E4ohm-cm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒
-
Li箔片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Li箔片
- 产地:美国
产品名称:锂(Li)箔产品简介:产品参数:色泽:银白色金属熔点:180.5℃密度:0.534g/cc分子量:4.6.94表面质量:平直光亮,无油斑及杂物,无可是氧化物和氮化物产品规格:35mmx30mx0.17mm标准包装:1.卷状,干燥环境充氩气密封包装于铝塑复合袋;2.在惰性气体或干燥空气咋红进行包装;3.保存期6个月;相关产品:Al FoilCu FoilC FoilIn FoilLi FoilPb FoilMg FoilNi FoilSS FoilTi FoilTa FoilV FoilW Fpi
-
Mo箔片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Mo箔片
- 产地:美国
产品名称:钼(Mo)箔产品简介:产品规格:100x100x0.1mm,100x100x0.025mm,100x100x0.05mm,毛坯产品参数:原子重量:95.96g/mol晶体结构:BCC室温下晶格常数:0.315nm密度:10.28g/cm3熔点:2623°C沸点:4639°C标准包装:1000级超净室100级超净袋包装相关产品:Al FoilCu FoilC FoilIn FoilLi FoilPb FoilMg FoilNi FoilSS FoilTi FoilTa FoilV FoilW Fp
-
不锈钢箔片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 不锈钢箔片
- 产地:美国
产品名称:不锈钢箔片产品简介:产品规格:Lx300mmx0.1mm,毛坯标准包装:1000级超净室100级超净袋锡箔纸真空包装相关产品:Al FoilCu FoilC FoilIn FoilLi FoilPb FoilMg FoilNi FoilSS FoilTi FoilTa FoilV FoilW Fpil
-
进口Fe2O3
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 进口Fe2O3
- 产地:美国
产品名称:Fe2O3(进口料)技术参数:生长方法:Natural,天然原料晶体晶向:<0001>、<10-10>、<11-20>othersonrequest最大尺寸:20x20mm晶体结构:a=5,04AC=13,77hexagonal密度:5.20g/cm3硬度:6.5产品规格:常规晶向:<0001>、<1-100>、<11-20><0.4°;常规尺寸:5x5x1.0mm、10x10x0.5mm;抛光情况:单抛;标准包装:1
-
进口GOI (Ge on insulator)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 进口GOI (Ge on insulator)
- 产地:美国
产品名称:进口GOI(Germanium?on?Insulator)产品简介:技术参数:Devicelayer:直径:6"类型:P型掺B晶向:<100>+/10degreetoward<111>厚度:50nm+/-3%电阻率:correspondingto1E18/cc边取:<111>抛光:单抛BuriedThermalOxide:厚度:100nmHandlewafer:掺杂类型:P型掺B晶向:<100>电阻率:5-20ohm-cm厚度:625+/-15um
-
石墨烯薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 石墨烯薄膜
- 产地:美国
产品名称:石墨烯薄膜产品数据:产品尺寸:dia100mm生长方法:CVD法薄膜厚度:1-10单分子层厚度Ni层厚度:300nm氧化层厚度:500nmSi片厚度:500umResearchGrade,about90%usefularea详细参数请点击 数据图表: Graphene film structure Optical microstructure pictureRamam Spectrum标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
-
进口AlN单晶
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 进口AlN单晶
- 产地:美国
产品名称:ALN单晶(进口)技术参数:晶向:<0001>±1°尺寸:9.9x9.9x0.5±0.05mm吸收系数:Absorption coefficient< 80 cm-1Etch pit density(EPD):< 1E5 cm-2可用面积Usable area:> 80 %边缘排除edge exclusion:1.0 mm表面粗糙度:Al 面: CMP polish (RMS < 0.8 nm), N 面: optical polish (RMS < 3
-
InSb(国外进口)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: InSb(国外进口)
- 产地:美国
产品名称:InSb?P型掺Ge技术参数:生长方法:LEC晶向:<100>±0.5°载流子浓度:(0.05-0.50)x10^17/ccMobility:>(4.0-8.4)x10^3cm2/VsEPD:<200/cm2尺寸:dia2"x0.45mm抛光:单面抛光常规尺寸:<100>dia2"X0.45mm单抛标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒
-
不同基底上的石墨烯材料
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 石墨烯材料
- 产地:
产品名称:不同基底上的石墨烯材料基底种类:(1)在铜片上合成3.5英寸的石墨烯(单层)(2)在Ni或Cu等薄膜上合成4英寸的石墨烯薄膜(单层或少数层);(3)转移到硅片、玻璃、石英、PET等基板上的石墨烯,尺寸小于4英寸(单层或少数层)标准包装:1000级超净室100级超净袋
-
Ga2O3-ß 单晶
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Ga2O3-ß 单晶
- 产地:美国
产品名称:?Ga2O3-??单晶技术参数:晶体结构:单斜晶体Monoclinic晶格常数:a=12.23A,b=3.04A,c=5.80A,?=103.7°晶向:<201>+/-0.7°(Pleasepayattentiona,b,caxisdefinitionabove) 产品规格:dia50.8 x0.65mm,单抛标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
-
氮化镓(GaN)薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 氮化镓(GaN)薄膜
- 产地:合肥
产品名称:氮化镓(GaN)薄膜产品简介:氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。在HVPE过程中,盐酸反应生成GaCl,而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化镓单晶基板。技术参数:常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型注:可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。产品定位C轴<0001>±1°传导类型N型;半
-
Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")
- 产地:美国
产品名称:Si片外延AlN膜产品简介:Si片外延AlN膜是通过HVPE方法生长,其实验衬底效果已日渐取代AlN单晶基片技术参数:AlN厚度:200nm±10%,单面镀膜正面:<2nmRMS,as-grown背面:siliconasreceivedAlN晶向:(00.2)宏缺陷密度:<10/cm^2薄膜衬底:Si[111]Ntype,dia4"x0.5mm,电阻res:1~10ohm-cm,单抛 常规尺寸:dia4"x0.5mm,单抛;标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
- 温度校验仪
- 仪器网导购专场为您提供温度校验仪功能原理、规格型号、性能参数、产品价格、详细产品图片以及厂商联系方式等实用信息,您可以通过设置不同查询条件,选择满足您实际需求的产品,同时导购专场还为您提供精品优选温度校验仪的相关技术资料、解决方案、招标采购等综合信息。
- 友情链接
- 尘埃粒子计数器